电源技术中的Si/SiGe/Si HBT直流特性的可靠性

VIP专享 2020-12-09 10:34:05 84KB PDF
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崔福现1,张万荣2(1.中国电子科技集团公司十三所,河北 石家庄 050051;2.北京工业大学,北京 100022)摘要:对单台面SiGe HBT在E-B结反偏应力下直流特性的可靠性进行了研究。研究结果表明,随应力时间的增加,开启电压增加,直流电流增益下降,特别是在低E-B正偏电压时下降明显;而交流电流增益退化缓慢。 关键词:异质结双极晶体管;台面;可靠性中图分类号:TN32 文献标识码:A文章编号:1671-4776(2003)10-0017-031引言在过去的十几年里,SiGe基区HBT取得了快速进展,许多小组在从事SiGe基区HBT的研究工作,他们采用了不同的器件结构,如单台面HBT,

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