分析传导EMI的功率MOSFET建模 (2003年)

基于集总电荷原理，分析了功率垂直双扩散MOS（VDMOS）开关过程各阶段极间电容CGS和CGD的变化，建立了连续的CGS和CGD模型，利用产品数据手册的数据，采用曲线拟合技术可以提取模型方程中所有未知参数。在Saber仿真软件中，利用现有的LDMOS模型为核心，构筑功率VDMOS的子电路模型，作为精确的瞬态和传导电磁干扰（ElectromagneticInterference，EMI）仿真使用。最后的开关实验和仿真结果的比较证明了该模型的准确性和有效性。