梁迎新，王太宏（中国科学院物理研究所，北京100080）１引言自２０世纪６０年代以来，集成电路一直按照摩尔定律不断更新换代，即单个芯片中集成的晶体管数目每１８个月翻一番。随着电路中器件尺寸的不断变小，光学光刻技术将接近其物理极限。现今流行的光刻工艺中所用的紫外光波长为２５０ ｎｍ左右，要想制造比这一尺度的一半小得多的图形结构，衍射效应将使图形的各部分特征混在一起而模糊不清。在研究人员对光学光刻技术作了一系列艰难的改进后，线宽仅有７０ ｎｍ的复杂微电子结构也已制造出来。但是这种制造方法的费用非常昂贵。用来制造线宽小于１００ ｎｍ的光学光刻工具，每台造价高达数千万至数亿美元。对此，半导体厂商也许可
