外电场对直接带隙Ge量子阱中的光学性质的影响 (2012年)

在有效质量近似下,考虑到外电场的影响,详细研究了直接带隙Ge/GeSi量子阱中带间光跃迁吸收系数和阈值能量随量子阱阱宽,外电场强度的变化情况。结果表明:随着外电场的增强,带间光跃迁吸收强度会逐渐减弱,阈值能量减小,吸收曲线向低能方向移动,出现了红移现象。此外,当量子阱比较大时,外电场对量子阱中带间光跃迁阈值能量的影响更加明显