激光场和电场对掺锌GaN / AlGaN量子阱中杂质态的影响

基于有效质量近似，在ZB GaN / AlGaN量子阱（QW）中以可变方式研究了激光场和外加电场对杂质态的竞争效应。 数值结果表明，对于任何激光场，电场都会使供体结合能相对于QW中心呈不对称分布。 此外，当激光场较弱时，电场对供体结合能的影响很明显。 然而，电场效应对具有强激光场的ZB GaN / AlGaN QW中施主结合能的变化不敏感。