铜衬底上热丝CVD法低温生长石墨烯薄膜的研究* (2014年)

以乙炔作为碳源，抛光铜片作为衬底，采用热丝CVD法低温生长了石墨烯。通过拉曼散射光谱和紫外-可见分光光度计分析了样品的性能。结果表明，灯丝温度的提高有助于乙炔分解为对石墨烯晶粒形核生长比较有利的含碳活性基团。衬底温度的升高增强了铜衬底对石墨烯生长的催化作用。通过调整气体流量中乙炔的比例，可以有效降低石墨烯薄膜的层数。最终在乙炔浓度为2%，衬底温度为450 °C的低衬底温度条件下制得了的单层石墨烯纳米晶薄膜。