具有双向电荷氧化沟道的高品质SOI MOSFET

提出了一种新型的具有高品质因数（FOM）的绝缘体上硅（SOI）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。 该器件具有双面电荷氧化物沟槽（DCT）和延伸至掩埋氧化物的沟槽栅。 首先，氧化物沟槽在漂移区中引起多维耗尽，这不仅提高了电场（电场）强度，而且还增强了减小的表面场效应。 第二，在DCT中收集了自适应电荷，这增强了沟槽氧化物的电场强度。 第三，氧化物沟槽沿垂直方向折叠漂移区，从而减小了器件单元的间距。 第四，DCT区域的一侧充当p阱的体接触，以进一步减小单元间距和比导通电阻（R-on，R-sp）。 与沟槽栅横向双扩散MOSFET相比，DCT MOSFET在3.5μm的相同单元间距下将击穿电压（BV）从53 V增加到158 V，或将单元间距减小60％，R-on，在相同BV下，R-sp提高70％。 提议的结构的FOM（FOM = BV2 / R-on，R-sp）为23 MW / cm（2）。