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IRLU3410PBF-VB一款N沟道TO251封装MOSFET应用分析
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2024-01-06
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IRLU3410PBF-VB MOSFET 应用分析 本文主要介绍了 IRLU3410PBF-VB 一款 N 溝道 TO251 封装 MOSFET 的应用分析。该器件是一种高性能的 MOSFET,具有高温下工作的能力,最高工作温度可达 175°C。 特性: * 高温工作能力:最高工作温度可达 175°C * 高耐压能力:耐压值可达 100V * 低导通电阻:在 VGS = 10V 时,RDS(on) 只有 15mΩ * 高频率工作能力:可以工作在高频率下 应用: * 主要应用于电源供应、DC-DC 转换器、电机驱动、电池充电器等领域 * 也可以应用于音频设备、汽车电子、家用电器等领域 绝对最大额定值: * 漏极-源极电压:100V * 门-源极电压:±20V * 连续漏极电流:15A * 脉冲漏极电流:45A * 最大功率损耗:61W 热阻抗: * 接合-环境热阻抗:162°C/W * 接合-情况热阻抗:22.4°C/W 应用注意事项: * 在使用 IRLU3410PBF-VB MOSFET 时,需要注意电压、电流和温度等参数,以免超出器件的绝对最大额定值 * 在设计电路时,需要考虑到器件的热阻抗和热设计 * 在使用 IRLU3410PBF-VB MOSFET 时,需要遵守相关的安全规范和标准 IRLU3410PBF-VB MOSFET 是一款高性能的 MOSFET,具有高温工作能力、低导通电阻和高频率工作能力,广泛应用于电源供应、DC-DC 转换器、电机驱动、电池充电器等领域。
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