IRLU024NPBF-VB-MOSFET 产品应用与参数解析
IRLU024NPBF 是一款 N沟道 60V 25A MOSFET，由 Vishay 制造。该器件具有低 RDS（ON），高开关频率和高速开关特性，适用于服务器、数据中心、电源系统、工业控制系统等领域。
参数解析
1. 静态电压：VDS（Drain-Source Voltage）为 60V，Gate-Source 电压（VGS）为 ±20V。
2. 导通电阻：RDS（ON）为 32mΩ@10V，36mΩ@4.5V。
3. 开关频率：该器件具有高速开关特性，适用于高频率开关应用。
4. 漏电流：IGSS（Gate-Body Leakage）为 ±250nA。
5. 漏电压：VGS(th)（Gate Threshold Voltage）为 2.4V。
应用场景
1. 电源系统：IRLU024NPBF 可用于电源系统的-secondary synchronous rectification 模块，提高电源效率和可靠性。
2. DC/DC Converter：该器件也可以应用于 DC/DC Converter 模块，满足高效率和高可靠性的要求。
特性
1. TrenchFET：IRLU024NPBF 采用 TrenchFET 结构，具有低 RDS（ON）和高速开关特性。
2. Halogen-free：该器件符合 IEC 61249-2-21 标准，免于卤素污染。
3. RoHS 指令：IRLU024NPBF 符合 RoHS 指令 2002/95/EC，满足环保要求。
热设计
1. 热阻抗：junction-to-ambient thermal resistance（RthJA）为 46°C/W，junction-to-case thermal resistance（RthJC）为 2.1°C/W。
2. 最大功率：最大功率（PD）为 59.5W @ TC = 25°C。
可靠性
1. avalanchenergie：该器件具有高 avalanche 能量（EAS），可以承受高能量 pulse。
2. UIS 测试：IRLU024NPBF 经过 UIS 测试，确保器件的可靠性和稳定性。
IRLU024NPBF 是一款高性能、低损耗的 N沟道 MOSFET，适用于电源系统、DC/DC Converter 及其他高频率开关应用。
