等离子体处理对GaN发光二极管性能影响 (2008年)

为了研究等离子体处理对ICP刻蚀损伤的恢复效果，将多个样品放置于不同温度的等离子体增强化学气相沉积样品台上，通过改变射频源功率，分别使用N2、N2O和NH3等离子体对GaN发光二极管进行处理．研究结果表明，在100℃、20 W的射频功率条件下，用N2O等离子体处理GaN发光二极管可以极大地改善器件的光电特性；用N2等离子体处理GaN发光二极管可以使器件的光电特性得到微弱改善；但是使用NH3等离子体处理GaN发光二极管，会使其光电特性明显恶化．