使用自动变温霍耳测试系统测定了减压MOVPE外延生长的Cδ掺杂AlxGa1-xAs多层外延与 pipi A1xGa,xAs超晶格。结果表明,以TMA1为掺杂源的C8掺杂A1xGa,xAs多层外延样品的二维空穴浓度可达到1. 1 X 1013/cm,,比以TMG为掺杂源的样品提高一个数量级,且其掺杂浓度对Al摩尔分数的依赖程度远较使用TMG为低。实验还发现具有lo15/cm2二维空穴浓度的Cδ掺杂 pipi A1xGa,xAs超晶格的迁移率与具有1o13/cm2二维空穴浓度的C8掺杂A1xGa,xAs多层外
