采用电子束蒸发法在硅衬底或BaTiO3陶瓷基片上沉积了Ga2O3∶Mn电致发光膜，并进行了不同温度热处理，制备了电致发光器件。用X射线衍射（XRD）分析了Ga2O3∶Mn薄膜晶体结构；用荧光分光光度计测试了电致发光器件的发射光谱。研究了Ga2O3∶Mn薄膜的晶体结构与其光谱特性之间的关系。实验结果表明，Ga2O3∶Mn薄膜结晶度随热处理温度的提高而提高，且晶体结构和结晶取向也随之改变；经500℃热处理的Ga2O3∶Mn薄膜电致发光器件发绿光，其光谱主峰分布在495～535nm之间，且随驱动电压增高，谱峰出
