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FLASH存储器和EEPROM存储器的区别
FLASH存储器和EEPROM存储器的区别
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FLASH存储器和EEPROM存储器的区别
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EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。 EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM 的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的 Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以
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如何擦除EEPROM数据
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该文件包含详细的如何擦除EEPROM数据的程序。
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