PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存储器比较

"PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存储器比较" 本文主要讲述了PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM之间的区别及组成，按各类型之间的区分。 PROM、EEPROM、FLASH都是基于浮栅管单元的结构，但它们之间有着明显的区别。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出。EEPROM的单元是由FLOTOX及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling。 对于用户来说，EEPROM和FLASH的最主要的区别是：EEPROM可以按“位”擦写，而FLASH只能按“块”擦写。EEPROM一般容量都不是很大，如果大的话，EEPROM相对与FLASH就没有价格上的优势了。市面上卖的stand alone的EEPROM一般都是在64KBIT以下，而FLASH一般都是8MEG BIT以上（NOR型）。读的速度的话，应该不是两者的差别，只是EEPROM一般用于低端产品，读的速度不需要那么快，真要做的话，其实也是可以做的和FLASH差不多。因为EEPROM的存储单元是两个管子，而FLASH是一个（SST的除外，类似于两管），所以CYCLING的话，EEPROM比FLASH要好一些，到1000K次也没有问题的。 SRAM和DRAM是两种不同的RAM，SRAM是静态RAM，速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DDR RAM是一种改进型的RAM，它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了；而EPROM是通过紫外光的照射擦除原先的程序，是一种通用的存储器。 PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存储器之间的区别是非常明显的，每种存储器都有着其特点和应用领域，了解这些区别是非常重要的。