on2987-芯片资料介绍.pdf

on2987-芯片资料介绍.pdf 本文档介绍了on2987-芯片的技术资料，主要包括 Collector–Emitter Saturation Voltage、Collector–Emitter Sustaining Voltage、高 Current Gain — Bandwidth Product 等相关知识点。 Collector–Emitter Saturation Voltage（集电极-发射极饱和电压）是指在IC = 6.0 Adc时，VCE(sat)的最大值为1.5 Vdc。 Collector–Emitter Sustaining Voltage（集电极-发射极可持续电压）是指TIP41A、TIP42A等型号的芯片的VCEO(sus)值分别为60 Vdc、80 Vdc和100 Vdc。 高 Current Gain — Bandwidth Product（高电流增益-带宽乘积）是指在IC = 500 mAdc时，fT值为3.0 MHz。 TO–220 AB Package（TO-220 AB封装）是指on2987-芯片的封装形式。 MAXIMUM RATINGS（最大额定值）是指on2987-芯片的各种参数的最大额定值，包括Collector–Emitter Voltage、Collector–Base Voltage、Emitter–Base Voltage、Collector Current — Continuous、Base Current、Total Power Dissipation等。 其中，Collector–Emitter Voltage（集电极-发射极电压）是指on2987-芯片的最大允许电压，分别为60 Vdc、80 Vdc和100 Vdc。 Collector–Base Voltage（集电极-基极电压）是指on2987-芯片的最大允许电压，分别为60 Vdc、80 Vdc和100 Vdc。 Emitter–Base Voltage（发射极-基极电压）是指on2987-芯片的最大允许电压，为5.0 Vdc。 Collector Current — Continuous（集电极电流-连续）是指on2987-芯片的最大允许电流，为6.0 Adc。 Base Current（基极电流）是指on2987-芯片的最大允许电流，为2.0 Adc。 Total Power Dissipation（总功率耗散）是指on2987-芯片的最大允许功率耗散，分别为650.52 Watts和2.00 Watts。 在实际应用中，on2987-芯片的这些参数需要根据具体的应用场景和设计要求进行选择和优化，以确保芯片的安全可靠运行。