应变硅技术原理部分PPT课件.pptx

"应变硅技术原理部分PPT课件" titre:应变硅技术原理部分PPT课件 description:应变硅技术原理部分PPT课件 Tags:专业课件 Summary: 应变硅技术原理部分PPT课件是关于silicon-on-insulator(SOI)技术的PPT课件，主要讲解了应变硅技术的原理、类型和应用。 Knowledge Points: 1. 应变硅技术的原理：应变硅技术是指在硅基CMOS电路中引入应力，使得晶体管性能提高。这种技术可以提高晶体管的速度、降低功耗和增加封装密度。 2. 应变硅技术的类型：应变硅技术可以分为全局应变和局部应变。全局应变是指在整个圆片都进行生长应变硅层，不同的沟道位置具相同的应力大小和方向。局部应变是指通过一些技术仅在沟道处引入应力的方法。 3. 应变硅技术的应用：应变硅技术已经广泛应用于IC制造业，例如英特尔Process Architecture and Integration经理Mark Bohr曾经形象地描述：“只需将硅原子拉长1% 就可以将MOS晶体管电流速度提高10%~20%，而应变硅的生产成本只增加2%”。 4. 应变硅技术的优点：应变硅技术可以提高晶体管速度、降低功耗和增加封装密度。例如，利用现有硅生产线制造出的应变硅MOSFET与同尺寸体SiMOSFET相比，功耗减小三分之一，速度提高30%，特征频率提高50%以上，功耗延迟积仅为后者的1/5到1/6，器件的封装密度提高50%。 5. 应变硅技术的分类：应变硅技术可以分为张应变和压应变。张应变是指在SiGe衬底上生长Si层，形成张应变；压应变是指在Si衬底上生长SiGe层，形成压应变。 6. 应变硅技术的实现方法：应变硅技术可以通过不同的方法来实现，例如通过工艺步骤、材料上自然晶格常数的差异以及封装等方式来实现。 7. 应变硅技术的应用领域：应变硅技术已经广泛应用于IC制造业、计算机industry、通讯industry等领域。 8. 应变硅技术的发展前景：应变硅技术仍然在不断发展和改进，例如英特尔公司已经开发出新的应变硅技术，进一步提高了晶体管的速度和降低功耗。 9. 应变硅技术的挑战：应变硅技术也存在一些挑战，例如如何在CMOS电路中实现双轴应变，如何克服迁移率不匹配的影响等。 10. 应变硅技术的发展方向：应变硅技术的发展方向是继续提高晶体管的速度、降低功耗和增加封装密度，同时也在探索新的应用领域。 应变硅技术是一种重要的技术，已经广泛应用于IC制造业，并且仍然在不断发展和改进。