TF3622规格书.pdf

TF3622是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，设计用于提供优异的导通电阻、低栅极电荷以及低至2.5V的栅极电压操作。这款器件特别适合用作电池保护或在其他开关应用中。 **主要特性：** 1. **额定电压与电流**：TF3622能够承受30V的漏源电压（VDS）和25A的连续漏极电流（ID）。 2. **低导通电阻**：在VGS=10V时，RDS(ON)为12mΩ，VGS=4.5V时，RDS(ON)为16mΩ，这有助于减少导通损耗，提高效率。 3. **高功率和电流处理能力**：器件设计允许处理大功率和大电流，适合高压、大电流的场合。 4. **无铅产品**：符合环保要求，采用无铅工艺制造。 5. **封装形式**：采用表面安装的封装，便于在电路板上布局和组装。 **绝对最大额定值：** - **漏源电压**（VDS）：30V - **栅源电压**（VGS）：±20V - **连续漏极电流**（ID）：25A - **脉冲漏极电流**（IDM）：75A - **最大功率耗散**（PD）：3.5W - **工作和存储温度范围**：-55℃到150℃ **热特性**： - **结-壳热阻**（RθJA）：35℃/W，这表示器件在环境温度为25℃时，每瓦功耗引起的结温上升。 **电气特性：** - **漏源击穿电压**（BVDSS）：当VGS=0V，ID=250μA时，该值为30V，确保在正常工作条件下器件的安全性。 - **零栅压漏极电流**（IDSS）：在VDS=30V，VGS=0V时，漏极电流小于1μA，确保低漏电流。 - **栅体泄漏电流**（IGSS）：在VGS=±20V，VDS=0V时，栅体泄漏电流小于±100nA，保证了良好的绝缘性能。 - **开启特性**： - **栅阈值电压**（VGS(th)）：在VDS=VGS，ID=250μA时，阈值电压为1.0V到2.4V，这是器件开始导通的最小栅极电压。 - **漏源导通电阻**（RDS(ON)）：在不同栅极电压下给出了相应的RDS(ON)值。 - **动态特性**： - **输入电容**（Ciss）、**输出电容**（Coss）和**反向传输电容**（Crss）：这些参数涉及到器件的开关性能和储能。 - **开关特性**： - **开通延迟时间**（td(on)）、**开通上升时间**（tr）、**关断延迟时间**（td(off)）和**关断下降时间**（tf）：这些参数描述了MOSFET从关闭到打开或从打开到关闭的速度，对于高速开关应用至关重要。 **应用领域**： - **电池开关**：用于电池管理系统，确保电池在过充或过放时得到保护。 - **DC/DC转换器**：作为电源管理的一部分，帮助转换和调节电压。 **制造商**：深圳市拓峰半导体技术有限公司，提供PDFN3333-8封装的N沟道增强型功率MOSFET，型号为TF3622。 总体来说，TF3622是一款高性能、低功耗的功率MOSFET，适用于需要高效能、低损耗的电源管理和电池保护应用。其出色的电气特性和紧凑的封装设计使其成为多种电子设备的理想选择。