KL816 晶体管光耦DIP4产品规格书 .pdf

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光耦型号
光耦应用
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KL816光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成，它采用4引脚DIP封装, 并提供宽引线间距和SMD选项。 产品特点 • 电流转换率 CTR: 50~600% at IF =5mA, VCE =5V • 输入与输出高隔离电压(Viso=5000 V rms) • tr/tf响应时间(在VCE=2V时,IC=2mA,RL=100Ω, tr Typ.4us, tf Typ.3us) • 工作温度可达+110℃ • 4PIN引脚封装模式 • 无Pb且符合ROHS标准 • 静电放电:人体模式8000V、机器模式2000V • 安全审批 Safety approval CQC认证已批准(编号:CQC23001407997) UL认证已批准 (编号:UL-CA-2340753-0) 产品应用 • 电流表、计算机 • 开关电源 • 仪器应用、测量仪器 • 家用电器, 如风扇加热器等 • 电信设备 • 复印机、自动化设备
＊本文档中包含的信息反映了具有代表性的使用场景，仅供技术参考。
The information contained in this document reflects representative usage scenarios and is intended for technical reference only.
＊本文档中提到的产品型号和规格如有更改或改进，恕不另行通知。在生产使用之前，客户应参考产品规格书的最新数据表。
Product models and specifications mentioned in this document are subject to change or improvement without notice. Customers should refer to the
latest data sheets in the product specifications prior to production use.
＊在使用本文档中引用的产品时，请确保产品在数据手册中规定的环境和电气限制范围内运行。如果客户使用超过指定的限制，晶台将不会对任何后续问
题负责。
When using the products referenced in this document, ensure that the products are operated within the environmental and electrical limits specified
in the data sheet. If the customer uses the product beyond the specified limits, Kinglight will not be responsible for any subsequent problems.
＊本文档中的信息适用于电子元器件应用中的典型用法。如有任何特殊用途，请向晶台咨询，以获得进一步的帮助。
The information in this document applies to typical use in electronic component applications. For special applications, please contact Kinglight for
further assistance.
＊未经晶台允许，不得复制或转载本文件的内容和信息。对于最新的信息，请参考官方网站 Http://www.kinglight-OC.com。
The contents and information in this document may not be copied or reproduced without the permission of Kinglight. For the latest information,
please visit the official website Http://www.kinglight-OC.com.
KL816 Datasheet
KL816
PHOTO TRANSISTOR
DIP4 晶体管光耦
KL816 Datasheet
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1. 产品特点 Product features
• 电流转换率(Current transfer ratio)
CTR: 50~600% at I
F
=5mA, V
CE
=5V
• 输入与输出高隔离电压(Viso=5000 V rms)
High isolation voltage between inputs and output (Viso=5000 V rms)
• tr/tf响应时间(在V
CE
=2V时,I
C
=2mA,R
L
=100Ω, tr Typ.4us, tf Typ.3us)
Response time(tr Typ.4µs, tf Typ.3us at V
CE
= 2V, I
C
= 2mA, R
L
= 100Ω )
• 工作温度可达+110℃ Operating temperature up to +110°C
• 4PIN引脚封装模式
4PIN DIP encapsulation mode
• 无Pb且符合ROHS标准 Pb free and RoHS compliant
• 静电放电:人体模式8000V、机器模式2000V
ESD pass HBM 8000V/MM2000V
• 安全审批 Safety approval
CQC认证已批准(编号:CQC23001407997) CQC approved (No. CQC23001407997)
UL认证已批准 (编号:UL-CA-2340753-0) UL approved (No: UL-CA-2340753-0 )
2. 产品描述 Product Description
• KL816光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成
KL816 photo coupler consists of one piece of GaAs emitter and one piece of NPN transistor
• 它采用4引脚DIP封装, 并提供宽引线间距和SMD选项
Packaged in a 4-pin DIP package and available in wide-lead spacing and SMD option
3. 产品应用 Product Applications
• 电流表、计算机 Ammeter、Computer
• 开关电源 Switching power supply
• 仪器应用、测量仪器 Instrumental application、measuring instruments
• 家用电器, 如风扇加热器等 Home appliances, such as fan heaters, etc.
• 电信设备 Telecommunication equipments
• 复印机、自动化设备 Copiers, automation equipment
4. 功能图 Functional Diagram
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5. 光电特性 Electrical-Optical characteristics
• 最大限度额定值(温度=25ºC) Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数
Parameter
符号
Symbol
额定值
Rated Value
单位
Unit
输入
Input
正向电流 Forward current
I
F
60
mA
峰值正向电流(100us脉冲,100Hz频率) Peak forward
current (100us pulse,100Hz frequency)
I
FP
1
A
反向电压 Reverse voltage
V
R
6
V
输入功率 Input Power
P
D
100
mW
输出
Output
集电极电流
Collector current
I
C
50
mA
集电极与发射极间电压
Collector and emitter Voltage
V
CEO
80
V
发射极与集电极间电压
Emitter and Collector Voltage
V
ECO
6
V
输出功率 Output Power
P
C
150
mW
总消耗功率 Total Consume Power
P
TOT
200
mW
隔离电压 ( 1* )Isolation Voltage
V
iso
5000
Vrms
工作温度 Operating temperature
T
OPR
-55 to +110
℃
储存温度 Storage temperature
T
STG
-55 to +125
℃
焊接温度 ( 2* ) Soldering temperature
T
SOL
260
℃
附注(Notes):
1* 交流电源1分钟内, 相对湿度40~60%环境下, 隔离电压测试方法, 1&2脚短接在一起, 3&4脚短接在一起
AC for 1 minute, 40~60%RH in this test, Pin 1,2 are shorted together, and3,4 are shorted together
2* 焊接时间为10秒 Soldering time is 10 seconds
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6. 电气特性(Ta=25℃,除非另有规定)
Electrical Characteristics(Ta=25℃ unless specified otherwise)
参数
Parameter
符号
Symbol
最小值
Min.
规格值
Typ.
最大值
Max.
单位
Unit
条件
Condition
输入
In put
正向电压
Forward voltage
V
F
-
1.2
1.4
V
I
F
=20mA
反向电流
Reverse current
I
R
-
-
10
µA
V
R
=4V
输入电容
Input capacitance
C
in
-
30
250
pF
V=0, f=1kHz
输出
Out put
集电极与发射极间暗电流
Collector-Emitter dark
current
I
CEO
-
-
100
nA
V
CE
=20V
I
F
=0mA
集电极与发射极间击穿电压
Collector-Emitter
breakdown voltage
V
CEO
80
-
-
V
I
C
=0.1mA
I
F
=0mA
发射极与集电极间击穿电压
Emitter-Collector
breakdown voltage
V
ECO
6
-
-
V
I
E
=0.1mA
I
F
=0mA
传输特性
Transfer
Characteristics
集电极与发射极间饱和电压
Collector-Emitter
saturation voltage
V
CE(sat)
-
0.1
0.2
V
I
F
=20mA
I
C
=1mA
电流传输比
Current transfer ratio(1*)
CTR
50
-
600
％
I
F
=5mA
V
CE
=5V
集电极电流
Collector Current
I
C
2.5
-
30
mA
I
F
=5mA
V
CE
=5V
隔离电阻
Isolation resistance
R
ISO
5×10
10
1×10
12
-
Ω
V
IO
=500Vdc
40~60% R.H.
浮动电容
Floating capacitance
C
f
-
0.6
1.0
pF
V
IO
=0, f=1MHz
截止频率
Cut-off frequency
fc
-
80
-
kHz
V
CE
=5V,
I
C
=2mA
R
L
=100, -3dB
上升时间
Rise time
t
r
-
4
18
µs
V
CE
=2V,
I
C
=2mA,
R
L
=100Ω
下降时间
Fall time
t
f
-
3
18
µs
1* 当前转换比率=I
C
/I
F
*100%, CTR公差:±3% Current Conversion Ratio = I
C
/ I
F
× 100% , CTR Tolerance:±3%.

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