《半导体物理》是深入理解半导体器件工作原理的重要教材，由刘恩科、朱秉升、罗晋生合著。在学习过程中，解决课后习题是巩固知识的关键环节。以下是对部分习题解答的详细解析：
1-1 题涉及半导体禁带宽度、导带底和价带顶的有效质量以及准动量变化的计算。禁带宽度 Eg 是半导体中电子从价带跃迁到导带所需的能量差，可以通过 Ec 和 Ev 的表达式计算得出。导带底的电子有效质量 mn 和价带顶的电子有效质量 m' 可以通过 Ec 和 Ev 的微分来求解。准动量的改变量 Δk 则是 kmin 和 kmax 之差。
1-2 题考察电子在电场作用下从能带底跃迁到能带顶所需时间。这个时间可以通过电子在电场中的加速度和初始速度的关系计算得出，与电场强度成反比。
3-7 题涉及的是锗材料的有效状态密度、载流子有效质量和本征载流子浓度。有效状态密度 Nc 和 Nv 可以通过德拜-休克尔极限公式计算，而载流子有效质量可以通过这些密度与禁带宽度和温度的关系确定。本征载流子浓度 ni 则与温度、禁带宽度和玻尔兹曼常数相关。
3-8 题要求计算不同温度下，含有特定施主和受主浓度的锗中电子和空穴的浓度。这些浓度可以通过载流子的费米-狄拉克分布函数和杂质的电离状态来确定。
3-11 题讨论了杂质电离度与温度的关系。杂质电离能 ΔED 定义了杂质离子化所需的能量，而杂质的电离度则与温度有关。通过设定不同电离度，可以解出对应的温度。
3-14 题要求计算掺杂了特定施主和受主浓度的硅在300K时的电子和空穴浓度，以及费米能级的位置。电子和空穴浓度可以通过施主和受主的浓度以及本征载流子浓度来计算，费米能级的位置则与这些浓度和能带结构相关。
3-18 题和3-19 题分别讨论了掺磷的n型硅和掺锑的n型硅中，费米能级的位置与杂质浓度的关系。通过计算杂质电离能和费米能级的相对位置，可以找到杂质的浓度。
以上解答提供了半导体物理中的一些基础概念和计算方法，包括禁带宽度、有效质量、载流子浓度、费米能级、电离度等。这些都是理解和设计半导体器件的基础。在实际应用中，这些知识对于半导体工程师至关重要，因为它们直接影响到半导体器件的性能和工作特性。通过深入学习和练习，可以更好地掌握半导体物理的核心概念，为实际的电子工程和半导体技术打下坚实基础。
