### 外部存储器61C256数据手册解析:深入理解32Kx8高速SRAM #### 概述 《外部存储器61C256数据手册》是一份由Integrated Circuit Solution Inc(ICSI)提供的官方文档,详细介绍了IC61C256AH型号的高速静态随机存取存储器(SRAM)的技术规格和应用细节。此存储器设计用于高性能计算系统,具备低功耗、高速度和易用性的特点。 #### 技术特性 ##### 高速访问时间 IC61C256AH提供了10ns、12ns、15ns、20ns和25ns等不同级别的高速访问时间,这使其在数据密集型应用中表现出色,如高性能服务器、网络设备和嵌入式系统。 ##### 功耗管理 该存储器在工作状态下消耗功率仅为400mW(典型值),而在待机模式下更是低至250μW(CMOS标准下)。此外,它还支持TTL标准下的待机模式,功耗为55mW(典型值),展现了优秀的能效比。 ##### 全静态操作 IC61C256AH完全不需要时钟信号或刷新操作,确保了数据的稳定性,简化了系统设计并降低了功耗。 ##### 接口兼容性 采用TTL兼容接口和输出,便于与现有硬件架构集成,同时仅需单个5V电源供应,减少了对外部电路的需求。 #### 描述与技术背景 IC61C256AH是ICSI利用其先进的CMOS技术制造的高可靠性32Kx8位静态RAM。这种创新的工艺结合精心设计的电路,使得其最大访问时间可低至8ns。当控制信号CE处于高电平时,设备进入低功耗待机状态,此时功耗降低至50μW(CMOS输入级别下),极大地节省了能源。 #### 功能结构 IC61C256AH的内部结构包括32Kx8位内存阵列、解码器、列I/O控制电路以及数据输入输出电路。通过地址线A0到A14进行寻址,而CE、OE和WE控制信号则负责选择芯片、读取和写入操作。这种设计允许轻松扩展内存容量,同时保持高效的数据传输性能。 #### 封装选项 为了适应不同的应用环境,IC61C256AH提供了多种封装形式,包括28针300mil PDIP(双列直插式封装)、300mil SOJ(小型J形引脚封装)和8*13.4mm TSOP-1(薄型小外形封装),以及330mil SOP(小型封装)。这些封装类型不仅满足了空间限制的要求,也确保了在各种温度和湿度条件下的稳定性能。 #### 结论 《外部存储器61C256数据手册》全面介绍了IC61C256AH高速SRAM的卓越性能和广泛应用潜力。从高速访问时间到低功耗管理,再到高度的TTL兼容性和封装多样性,这款存储器无疑是现代计算系统中的关键组件。对于工程师和设计师而言,深入理解这些技术规格和功能特性将有助于优化系统设计,提升整体性能和能效。
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