15N3L-VB；Package：DFN8(5X6)；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V；ID：120A；Technology：Trench；
根据提供的文档信息，我们可以深入解析这款15N3L-VB MOSFET的相关特性与应用。该MOSFET属于N-通道类型，采用DFN8(5x6)封装形式，具有以下特点：
### 产品特点
1. **TrenchFET® 功率MOSFET技术**：采用先进的沟槽栅极技术，有效降低导通电阻(RDS(ON))，提高开关性能，并减少芯片面积。
2. **100% Rg和UIS测试**：确保所有器件都经过严格的栅极电阻(Rg)和无损关断(UIS)测试，提高产品的可靠性和一致性。
### 基本参数
- **配置**：单个N-通道
- **最大漏源电压VDS**：30V
- **最大栅源电压VGS**：±20V
- **阈值电压Vth**：1.7V
- **导通电阻RDS(ON)**：
- 在VGS=4.5V时为5mΩ
- 在VGS=10V时为3mΩ
- **最大连续漏极电流ID**：120A
- **技术**：沟槽式(Trench)
### 绝对最大额定值
- **漏极-源极电压VDS**：30V
- **栅极-源极电压VGS**：±20V
- **连续漏极电流ID**：
- TJ=175°C时为120A
- TA=25°C时为21A
- TA=70°C时为20.8A
- **脉冲漏极电流IDM**：250A
- **雪崩电流IAS**：5IL=0.1mA
- **单脉冲雪崩能量EAS**：60mJ
- **连续源-漏极二极管电流IS**：
- TA=25°C时为80A
- TA=70°C时为76A
- **最大功耗PD**：
- TA=25°C时为210W
- TA=70°C时为155W
- **工作结温范围TJ, Tstg**：-55°C至175°C
### 热阻
- **结到环境的最大热阻RthJA**：41.5°C/W
- **结到壳体的最大热阻RthJC**：0.9°C/W
### 应用领域
- **笔记本电脑核心供电**：适用于高性能笔记本电脑的电源管理模块。
- **VRM/POL转换器**：适用于电压调节模块(VRM)和点负载(POL)转换器，提供高效、紧凑的电源解决方案。
### 总结
15N3L-VB是一款高性能N-通道MOSFET，适用于需要高效率和小尺寸的应用场景，如笔记本电脑的核心供电系统和VRM/POL转换器。其采用先进的TrenchFET技术，能够在较低的导通电阻下提供高电流处理能力，同时具备良好的开关性能。此外，通过100% Rg和UIS测试，确保了产品的可靠性和一致性。该器件的工作结温范围宽广(-55°C至175°C)，能够适应各种环境条件下的工作需求。15N3L-VB是一款非常适用于高性能计算设备中的电源管理方案的理想选择。
