SI7850DP-T1-E3-VB一种N沟道DFN8(5X6)封装MOS管

SI7850DP-T1-E3-VB N沟道DFN8(5X6)封装MOS管 本文档介绍了SI7850DP-T1-E3-VB N沟道DFN8(5X6)封装MOS管的主要特点和参数。该MOS管是一种TrenchFETpower MOS管，具有高性能和低损耗特点，适用于各种电子设备的开关应用。 特点： * Halogen-free According to IEC 61249-2-21 * TrenchFETpower MOS管 * 100 % Rg测试 * 100 % UIS测试 应用： * 电池开关 * DC/DC转换器 电参数： * 漏电压(VDS)：60V * 漏电流(ID)：15A * 阈值电压(VGS(th))：1-2.8V * 导通电阻(RDS(on))：0.024Ω * 门源电阻(RGS)：10^6Ω * 门漏电流(IGSS)：100nA * 漏源电流(IDSS)：1μA 绝对最大额定值： * 漏电压(VDS)：60V * 门源电压(VGS)：±20V * 连续漏电流(ID)：15A * 脉冲漏电流(IDM)：40A * 最大功率损耗(PD)：35.7W 热阻参数： * junction-to-ambient热阻(RthJA)：253°C/W * junction-to-case热阻(RthJC)：2.7°C/W 操作条件： * 工作温度范围：-55°C to 150°C * 储存温度范围：-55°C to 150°C 本文档还提供了MOS管的封装信息、引脚配置、应用电路和热设计指南等信息，为设计和应用工程师提供了有价值的参考材料。