SI4848DY-T1-E3-VB一种N沟道SOP8封装MOS管

**SI4848DY-T1-E3-VB N沟道MOSFET详解** SI4848DY-T1-E3-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOP8封装，主要用于电源管理中的主侧开关应用。这款MOSFET以其高效能和可靠性在电路设计中受到青睐。 **关键特性** 1. **无卤素**：符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准，确保了环保和安全性。 2. **极低的Qgd**：Qgd是栅极电荷与漏极-源极导通电阻的乘积，该MOSFET具有极低的Qgd，意味着在切换过程中损失的能量非常少，从而提高了转换效率。 3. **100% Rg测试**：所有产品都经过了栅极电阻测试，确保了产品质量的一致性和可靠性。 4. **100% 崩溃测试**：通过了全面的雪崩测试，证明了其在高电压下的耐受性。 5. **RoHS合规性**：符合欧盟2002/95/EC指令，满足严格的环保要求。 **技术规格** - **额定电压**：VDS为150V，可承受高达150V的漏源电压。 - **导通电阻**：在VGS = 10V时，RDS(on)为0.080 Ω，而在VGS = 8V时，RDS(on)为0.085 Ω，这表明较低的栅极电压下仍能保持较低的导通电阻。 - **栅极电荷**：Qg典型值为5.423 nC，表示开启或关闭MOSFET所需的电荷量。 - **封装类型**：采用SO-8封装，便于表面安装。 **绝对最大额定值** - **漏源电压**：VDS的最大值为150V。 - **栅源电压**：VGS的最大值为+20V或-20V。 - **连续漏极电流**：在不同温度下，ID的最大值有所不同，如在25°C时为5.4A，在70°C时为4.5A。 - **脉冲漏极电流**：IDM的最大值为22A，用于短暂的大电流脉冲。 - **连续源漏二极管电流**：IS的最大值为4.5A，保证了二极管的正常工作。 **热特性** - **最大结温**：TJ的范围为-55到150°C，确保了在宽温范围内器件的稳定性。 - **热阻**：包括结-壳热阻RthJF和结-环境热阻RthJA，这些参数影响MOSFET的散热性能。 **功能和操作注意事项** - **脉冲测试条件**：脉冲宽度不超过300微秒，占空比不超过2%。 - **绝对最大额定值**：超出这些极限可能会导致设备永久损坏，这些值仅作为应力评级，不保证在这些条件下或超出规格的操作。 - **工作条件**：在25°C的结温下，静态参数的测量更为准确，但器件也可以在其他温度下工作，只是性能可能会有所变化。 SI4848DY-T1-E3-VB MOSFET因其优秀的电气特性和紧凑的封装设计，广泛应用于电源转换、驱动电路以及需要高效开关性能的系统中。在实际应用中，应根据具体电路的需求和散热条件来选择适当的MOSFET，并注意遵循制造商提供的操作指南，以确保长期稳定运行。