SI4413DY-T1-E3-VB一种P沟道SOP8封装MOS管

SI4413DY-T1-E3-VB是一款由VBsemi公司生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOP8封装。这款MOSFET设计为1P-Channel 30-V (D-S)，适用于负载开关应用，常见于笔记本电脑和台式电脑。它具有以下特性： 1. **TrenchFET** 技术：TrenchFET是意法半导体开发的一种创新MOSFET结构，通过在硅片上蚀刻深沟槽来提高器件的密度和降低导通电阻，从而实现更高效能和更低功耗。 2. **100% Rg 和 UIS 测试**：Rg测试确保了门极电阻的稳定性，UIS测试验证了器件在雪崩条件下的耐受性，这些都确保了产品的质量和可靠性。 **参数规格**： - **最大漏源电压 (VDS)**：-30V，保证了在正常工作条件下防止过电压。 - **栅源电压 (VGS)**：-20V，是MOSFET的额定门极电压范围。 - **连续漏极电流 (ID)**：在不同温度下有所不同，如25°C时为-8.7A，70°C时为-7.7A，反映了MOSFET在不同环境温度下的连续电流能力。 - **脉冲漏极电流 (IDM)**：-40A，用于短时间高电流脉冲应用。 - **源漏二极管电流 (IS)**：在25°C时为2.0A，表明MOSFET的体二极管可以作为简单的单向电流路径。 - **雪崩能量 (EAS)**：20mJ，表示器件能够承受的单脉冲雪崩能量，超过此值可能损坏MOSFET。 - **最大功率耗散 (PD)**：根据温度不同，最大功率耗散在25°C时为5.6W，70°C时为3.6W。 - **热阻**：包括结到环境的最大热阻（RthJA）395°C/W和结到脚的最大稳态热阻（RthJF）1822°C/W，影响了MOSFET的散热性能。 **安全操作区注意事项**： - 参数表中的“绝对最大额定值”列出了设备可承受的极端条件，超过这些值可能会导致永久性损坏。尽管如此，仅在规格书的操作部分指定的条件下保证器件的正常运行。 **应用领域**： - 笔记本电脑的负载开关：在电源管理中，MOSFET用作开关元件，控制电流流动，以确保设备的高效能和低功耗。 - 台式电脑的负载开关：类似地，MOSFET在台式电脑的电源管理和电路保护中扮演重要角色。 SI4413DY-T1-E3-VB是一款适用于电源管理、负载切换的高性能P沟道MOSFET，具备出色的电气特性、可靠的测试保证以及良好的热管理能力，广泛应用于现代电子设备中。