SI4850DY-T1-E3-VB N沟道SOP8封装MOS管
本MOSFET是由Vishay Semiconductor公司生产的一种N沟道SOP8封装MOS管，型号为SI4850DY-T1-E3-VB。该MOSFET具有高频率开关性能，适合于CCFL逆变器、同步整流器和其他高频率应用。
特性
* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
* TrenchFET® Power MOSFET
* 优化了“低侧”同步整流器操作
* 100 % Rg和UIS Tested
应用
* CCFL逆变器
* 同步整流器
* 其他高频率应用
绝对最大额定值
* 漏电压 VDS：60V
* Gate-Source Voltage VGS：± 20V
* 连续漏电流 (TJ = 150 °C)：7.6A
* 脉冲漏电流 IDM：25A
* 连续源漏电流 IS：4.2A
* 破坏电流 IAS：15A
* 单次脉冲能量 EAS：11.2mJ
热阻特性
* 最大结温 JA (TJ = 150 °C)：3850°C/W
* 最大结温 FF (TJ = 150 °C)：2025°C/W
静态特性
* 漏源击穿电压 VDS (VGS = 0 V, ID = 250 µA)：60V
* 漏源电阻 RDS(on) (VGS = 10 V)：0.025Ω
* 漏源电阻 RDS(on) (VGS = 4.5 V)：0.035Ω
* 漏电流 ID (VDS = 60 V, VGS = 10 V)：7.6A
应用注意事项
* 设备在高温下工作时，需要注意热阻特性，避免设备过热。
* 在设计电路时，需要注意MOSFET的绝对最大额定值，避免设备损坏。
* 在使用MOSFET时，需要注意静态特性，避免设备损坏。
热设计注意事项
* 设备在高温下工作时，需要注意热阻特性，避免设备过热。
* 在设计电路时，需要注意热设计，避免设备损坏。
其他注意事项
* 在使用MOSFET时，需要注意设备的绝对最大额定值和热阻特性，避免设备损坏。
* 在设计电路时，需要注意MOSFET的静态特性和热设计，避免设备损坏。
本MOSFET具有高频率开关性能，适合于CCFL逆变器、同步整流器和其他高频率应用。但是，在使用MOSFET时，需要注意设备的绝对最大额定值、热阻特性、静态特性和热设计，避免设备损坏。
