110N06N-VB；Package：DFN8(3X3)；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：2.5V；RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V；ID：15A；Technology：Trench；
### 110N06N-VB：一种N-Channel沟道DFN8(3X3)封装MOS管
#### 概述
本文档详细介绍了一款名为110N06N-VB的N-Channel沟道DFN8(3x3)封装的MOS管的技术规格和特性。该MOS管主要应用于电源管理领域，如开关电源、电机驱动等场景，具有较高的可靠性和性能表现。
#### 主要特点
1. **最高工作结温**：175°C，这表明该器件可以在较高温度环境下稳定工作。
2. **采用TrenchFET®技术**：这是一种先进的MOSFET制造工艺，通过在硅片上开凿沟槽来实现更低的导通电阻(RDS(on))，从而减少能量损耗，提高效率。
3. **材料分类注释**：
- a. 封装限制：说明了封装对器件性能的影响。
- b. 表面贴装在1" x 1" FR4板上：FR4是电子行业中常用的基材之一，具有良好的绝缘性和热稳定性。
- c. 脉冲宽度≤10秒：确保了在短脉冲应用中的可靠性。
#### 技术参数
- **VDS**（漏源电压）：最大值为60V，适用于中压应用场合。
- **VGS**（栅源电压）：最大值为±20V，意味着栅极与源极之间可以承受的最大电压范围。
- **Vth**（阈值电压）：2.5V，在这个电压下，MOS管开始导通。
- **RDS(ON)**（导通电阻）：
- @VGS=4.5V时，RDS(ON)为13mΩ；
- @VGS=10V时，RDS(ON)降低至10mΩ，说明随着栅极电压的增加，导通电阻减小，器件的导电能力增强。
- **ID**（连续漏极电流）：15A，表示在正常工作条件下，漏极能持续承载的最大电流。
#### 绝对最大额定值
绝对最大额定值提供了器件在不损坏的情况下所能承受的最大工作条件，包括但不限于：
- **VGs**（栅源电压）：±20V
- **ID**（连续漏极电流）：13A（TJ=175°C）
- **IP**（脉冲漏极电流）：50A
- **IS**（连续源极电流）：50A
- **IA**（雪崩电流）：50A
- **EL**（单次雪崩能量）：125mJ
- **PD**（最大功率耗散）：136W
- **TJ, Tstg**（工作结温和存储温度范围）：-55°C至175°C
#### 热阻特性
- **RthJA**（最大结到环境热阻）：15~18°C/W
- **RthJC**（最大结到壳热阻）：0.85~1.1°C/W
这些热阻特性对于评估器件在不同工作环境下的温升至关重要。
#### 结论
110N06N-VB是一款高性能的N-Channel沟道DFN8(3x3)封装MOS管，适用于需要高效率、低损耗的应用场景。其具备优良的热性能、较低的导通电阻以及宽广的工作温度范围，使得该MOS管成为许多电源管理和电力转换应用的理想选择。无论是设计开关电源还是电机驱动系统，110N06N-VB都能提供稳定可靠的性能支持。
110N06N-VB凭借其卓越的电气性能、紧凑的封装形式及广泛的温度适应性，在众多同类产品中脱颖而出，成为设计工程师在进行电源管理方案选型时不可忽视的一款高性能MOS管。
