11N80L-TA3-T-VB；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：800V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=380mΩ@VGS=10V；ID：15A；Technology：SJ_Multi-EPI；
### 11N80L-TA3-T-VB N-Channel沟道TO220封装MOS管
#### 特点与优势
1. **低品质因数（FOM）Ron x Qg**：该MOS管具有非常低的导通电阻（Ron）与栅极电荷（Qg）乘积，这可以显著减少开关损耗，提高效率。
2. **低输入电容（Ciss）**：低输入电容意味着在开关过程中，栅极驱动器的负担减轻，有助于提高开关速度和降低损耗。
3. **降低开关和传导损耗**：通过优化设计，该MOS管能够在高频率操作时减少能量损失，这对于需要高效能转换的应用尤为重要。
4. **超低栅极电荷（Qg）**：低栅极电荷使得在开关期间所需的能量更少，有助于进一步降低开关损耗。
5. **具有雪崩能量等级（UIS）**：这意味着该器件可以在过载情况下安全运行一段时间，提高了系统的可靠性和鲁棒性。
#### 应用领域
- **服务器和电信电源供应器**：在这些应用中，需要高效且可靠的电源管理组件来确保稳定运行。
- **开关模式电源（SMPS）**：SMPS广泛应用于各种电子设备中，如计算机、电视等，对于效率和尺寸有较高要求。
- **功率因数校正电源供应器（PFC）**：用于提高电源效率和减少电网污染。
- **照明应用**：
- 高强度放电灯（HID）
- 荧光镇流器照明
#### 参数详解
- **VDS**（漏源电压）：最大值为800V，这是MOS管能够承受的最大漏源电压。
- **VGS**（栅源电压）：±30V，表示栅极与源极之间可以施加的最大电压范围。
- **Vth**（阈值电压）：3.5V，在此电压下MOS管开始导通。
- **RDS(ON)**（导通电阻）：380mΩ@VGS=10V，当栅极电压为10V时，MOS管的导通电阻。
- **ID**（连续漏极电流）：15A，表示在规定条件下的最大连续工作电流。
- **技术类型**：SJ_Multi-EPI（超级结多层外延），这是一种先进的制造技术，旨在降低导通电阻和提高开关性能。
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压**（VDS）：最大值为800V。
- **栅源电压**（VGS）：±30V。
- **连续漏极电流**（ID）：15A（TJ = 150°C）。
- **脉冲漏极电流**（IDM）：461A。
- **线性退化因子**：7W/°C。
- **单脉冲雪崩能量**：297mJ。
- **最大功耗**（PD）：208W。
- **工作结温范围**（TJ, Tstg）：-55至+150°C。
- **漏源电压斜率**：125V/°C。
- **反向二极管dV/dt**：37V/ns。
- **焊接推荐温度**：峰值温度为300°C（持续时间不超过10秒）。
#### 热阻参数
- **最大结到环境热阻**（RthJA）：2°C/W。
- **最大结到壳热阻**（RthJC）：0.7°C/W。
#### 规格（TJ = 25°C，除非另有说明）
- **静态参数**：包括导通电阻、阈值电压等关键特性。
- **动态参数**：涉及栅极电荷、开关时间和电容等。
- **电容参数**：包括输入电容、输出电容和反馈电容等。
11N80L-TA3-T-VB是一种高性能的N-通道超级结MOS管，适用于多种电源管理和功率转换应用。其设计着重于提高效率、降低损耗，并具备良好的可靠性特征，是高电压和大电流应用的理想选择。
