11N10-VB TO252；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：100V；VGS：20（±V）；Vth：1.8V；RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V；ID：15A；Technology：Trench；
### 11N10-VB TO252：一种N-Channel沟道TO252封装MOS管
#### 概述
11N10-VB TO252是一种采用TO252封装的单N通道MOS管，具有良好的电气性能和技术特性。这种MOS管的主要应用包括电源开关、PWM优化以及符合RoHS指令的应用场景。下面将详细介绍该产品的技术参数、特点及应用领域。
#### 技术规格与特点
**技术规格**
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单N通道
- **最大漏源电压**（VDS）：100V
- **最大栅源电压**（VGS）：±20V
- **阈值电压**（Vth）：1.8V
- **导通电阻**（RDS(ON)）：114mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流**（ID）：15A
- **技术**：沟槽式（Trench）
**特点**
- **沟槽式MOSFET技术**：采用先进的沟槽式结构设计，有效降低了导通电阻，提高了效率。
- **高工作温度**：最高工作结温可达150℃。
- **PWM优化**：适用于脉冲宽度调制（PWM）应用，提供出色的开关性能。
- **全面测试**：所有产品均经过100% Rg测试，确保一致性与可靠性。
- **环保**：符合RoHS指令2002/95/EC的要求，不含限制使用的有害物质。
#### 应用范围
- **主侧开关**：适用于各种电源转换器中的主侧开关应用，如SMPS（Switched-Mode Power Supply）、逆变器等。
- **PWM驱动**：适用于需要高频率PWM驱动的场合，例如电机控制、LED照明驱动等。
#### 参数详细说明
- **绝对最大额定值**
- **漏源电压**（VDS）：100V，指MOS管在正常工作时所能承受的最大漏源电压。
- **栅源电压**（VGS）：±20V，指MOS管栅极与源极之间能够承受的最大电压差。
- **连续漏极电流**（ID）：
- 在结温为175℃时，连续漏极电流可达134A；
- 在环境温度为125℃时，连续漏极电流可达15A。
- **脉冲漏极电流**（IP）：指MOS管在短时间内能够承受的最大漏极电流。
- **连续源极电流**（IS）：3A，指MOS管源极在正常工作条件下能持续承载的最大电流。
- **雪崩电流**（IA）：3A，指MOS管在雪崩击穿条件下能够承受的最大电流。
- **单脉冲雪崩能量**（EL）：18mJ，指MOS管在雪崩状态下能够释放的最大能量。
- **最大功率耗散**（PDW）：96W，指在特定环境下MOS管所能承受的最大功率损耗。
- **工作结温和存储温度范围**（TJ, Tstg）：-55至150℃，指MOS管能够在该温度范围内正常工作或存储。
- **热阻抗**
- **结到环境的热阻**（RthJA）：15~18°C/W，在环境温度为25℃时，MOS管结温与环境温差每瓦特产生的温升。
- **结到壳体的热阻**（RthJC）：0.85~1.1°C/W，在环境温度为25℃时，MOS管结温与壳体温差每瓦特产生的温升。
- **电气参数**
- **静态参数**
- **漏源击穿电压**（VDS）：100V，在栅源电压为0V，漏极电流为250µA的情况下测得。
- **栅阈电压**（Vth）：1.8V，在漏极电流为250µA时，栅极所需的最小电压。
- **栅极泄漏电流**（IGSS）：±100nA，在栅极和源极之间施加±20V电压时，栅极泄漏电流的典型值。
- **零栅压漏极电流**（IDSS）：1µA，在栅源电压为0V，漏源电压为100V时，漏极电流的典型值。
#### 结论
11N10-VB TO252作为一款高性能的N-Channel沟道TO252封装MOS管，凭借其优异的技术规格和广泛的应用范围，在电力电子行业中具有重要的地位。无论是用于电源管理还是驱动控制，该器件都能提供可靠的性能表现。对于那些寻求高效、耐用且符合环保标准解决方案的设计工程师来说，11N10-VB TO252无疑是一个理想的选择。
