10N80H-VB TO220F；Package：TO220F;Configuration：Single-N-Channel;VDS：800V;VGS：30（±V）;Vth：3.5V;RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V；ID：7A;Technology：SJ_Multi-EPI;
### 10N80H-VB TO220F: 一种高性能N-Channel沟道TO220F封装MOS管
#### 概述
10N80H-VB TO220F是一种N-Channel沟道、采用TO220F封装形式的MOS管，具有优秀的电气性能和技术特性，适用于多种电源应用场合。
#### 特点
- **低功耗性能**：具备低Ron×Qg（导通电阻与栅极电荷乘积）值，这使得器件在开关过程中损耗较小。
- **低输入电容(Ciss)**：减少开关过程中的损耗。
- **降低开关与传导损耗**：通过优化设计，减少开关过程中的能量损耗以及导通状态下的功率损失。
- **超低栅极电荷(Qg)**：有助于提高开关速度，降低开关损耗。
- **雪崩能力**：该器件支持雪崩能量工作模式（UIS），增强了在过载条件下的可靠性。
#### 应用领域
- **服务器及电信电源供应器**：满足高效率、小体积的要求。
- **开关电源(SMPS)**：广泛应用于计算机电源、充电器等设备。
- **功率因数校正(PFC)电源**：改善交流输入电流波形，减少电网谐波污染。
- **照明系统**：
- 高强度放电灯(HID)
- 荧光灯镇流器
#### 参数详解
1. **最大漏源电压(VDS)**：800V，在最大结温条件下所能承受的最大漏源电压。
2. **最大栅源电压(VGS)**：±30V，栅极与源极之间的最大允许电压差。
3. **阈值电压(Vth)**：3.5V，当栅极电压达到此值时，漏极电流开始显著增加。
4. **导通电阻(RDS(ON))**：770mΩ @ VGS=10V，在特定栅源电压下，MOS管导通状态时的漏源间电阻。
5. **连续漏极电流(ID)**：7A，在结温为150°C时所能连续承载的最大电流。
6. **栅极电荷(Qg)**：≤85nC，栅极电荷是决定开关速度的关键参数之一。
7. **输入电容(Ciss)**：≤4nC，开关损耗的重要因素之一。
8. **反向传输电容(Qgd)**：≤11nC，影响开关速度和效率。
#### 绝对最大额定值
绝对最大额定值是指器件能够安全工作的极限值，超过这些值可能会导致永久性损坏。
- **漏源电压(VDS)**：800V
- **栅源电压(VGS)**：±30V
- **连续漏极电流(ID)**：5.9A (TJ=150°C, VGS=10V)
- **脉冲漏极电流(IDM)**：18A (单脉冲)
- **线性退化系数**：4W/°C
- **单脉冲雪崩能量(EAS)**：最大值取决于具体应用条件
- **最大功率耗散(PD)**：46W
- **工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**：-55°C至+150°C
- **漏源电压斜率(dV/dt)**：300V/ns (TJ=125°C)
#### 热阻参数
- **最大结到环境热阻(RthJA)**：2°C/W
- **最大结到壳热阻(RthJC)**：0.7°C/W
#### 封装与安装建议
该器件采用TO220F封装，适合于标准PCB板安装。推荐焊接峰值温度不超过300°C，持续时间不超过10秒，以确保良好的焊接质量和器件可靠性。
#### 结论
10N80H-VB TO220F作为一款高性能的N-Channel MOS管，以其出色的电气特性和宽广的应用范围而备受青睐。通过优化设计，该器件能够在各种电源应用中实现高效、稳定的性能表现，是电源管理解决方案的理想选择。
