10N95K5-VB TO220F；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：900V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=580mΩ@VGS=10V；ID：11A；Technology：SJ_Multi-EPI；
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### 一、产品概述
10N95K5-VB TO220F是一款采用TO220F封装的单N-Channel沟道超级结功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有以下主要特点：
- **低Ron x Qg乘积**：这一特性意味着在导通电阻（Ron）和栅极电荷（Qg）之间的乘积较小，有助于降低开关损耗。
- **低输入电容（Ciss）**：减少电容值可以进一步减小开关过程中的能量损耗。
- **减少开关和导通损耗**：通过优化设计，使得器件在开关过程中消耗的能量更少，同时保持较低的导通电阻。
- **超低栅极电荷（Qg）**：进一步降低了开关损耗，提高了效率。
- **具有雪崩能量评级（UIS）**：能够在一定程度上承受反向电压突变，适用于高电压应用。
### 二、技术规格
1. **VDS（漏源击穿电压）**：最大为900V，表示该MOS管能够在不损坏的情况下承受的最大漏源电压。
2. **VGS（栅源电压）**：额定值为±30V，表示栅极与源极之间可施加的最大电压范围。
3. **Vth（阈值电压）**：最小值为3.5V，表示使MOS管进入导通状态所需的最小栅源电压。
4. **RDS(ON)（导通电阻）**：在VGS=10V时，RDS(ON)的最大值为580mΩ，表明了MOS管处于导通状态时的电阻值。
5. **ID（连续漏极电流）**：最大值为11A，表示MOS管能够持续通过的最大电流。
6. **Technology（制造工艺）**：采用SJ_Multi-EPI技术，这是一种超级结多外延层工艺，用于提高MOSFET的性能。
### 三、绝对最大额定值
- **VDS（漏源电压）**：±30V
- **VGS（栅源电压）**：±30V
- **ID（连续漏极电流）**：最大值为11A（TJ = 150°C）
- **IDM（脉冲漏极电流）**：最大值为28A
- **EAS（单脉冲雪崩能量）**：最大值为226mJ
- **PD（最大耗散功率）**：156W
- **TJ, Tstg（工作温度范围）**：-55°C至+150°C
- **dV/dt（漏源电压斜率）**：最大值为37V/ns
### 四、应用领域
10N95K5-VB TO220F MOSFET适用于多种应用场景：
- **服务器和电信电源供应器**
- **开关模式电源（SMPS）**
- **功率因数校正电源（PFC）**
- **照明系统**：包括高强度放电灯（HID）和荧光灯镇流器等。
### 五、热阻额定值
- **RthJA（最大结到环境热阻）**：2°C/W
- **RthJC（最大结到壳体热阻）**：0.8°C/W
### 六、其他说明
- **Coss(er)** 和 **Coss(tr)**：这两个参数分别描述了漏源电容在不同电压阶段的行为，有助于评估开关性能。
- **SN-Channel MOSFET GDG DSTO-220 FULLPAK**：指该产品的具体型号和封装类型。
10N95K5-VB TO220F是一种高性能的N-Channel沟道TO220F封装MOS管，具有低损耗、高耐压和良好的热性能等特点，非常适合应用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备中。
