10N80-VB；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：800V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V；ID：7A；Technology：SJ_Multi-EPI；
### 10N80-VB N-Channel沟道TO220封装MOS管详细介绍
#### 一、概述
10N80-VB是一款高性能的N-Channel沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用标准的TO220封装形式。该器件在设计上具有低导通电阻(Ron)与低输入电容(Ciss)等特性，从而实现了较低的开关损耗和导通损耗。这些特点使得10N80-VB成为多种电源应用中的理想选择。
#### 二、技术规格
- **最大工作电压** (VDS): 800V。
- **栅源电压** (VGS): ±30V。
- **阈值电压** (Vth): 3.5V。
- **导通电阻** (RDS(ON)): 850mΩ @ VGS=10V。
- **连续漏极电流** (ID): 7A。
- **技术类型** (Technology): SJ_Multi-EPI（Super Junction Multi-Epitaxial）。
#### 三、关键性能指标
1. **低导通电阻与门极电荷乘积** (Ron x Qg): 这个参数代表了器件的功耗性能。10N80-VB具有较低的Ron x Qg值，这意味着在开关过程中消耗的能量更少。
2. **低输入电容** (Ciss): 低输入电容有助于减少开关过程中的延迟时间，从而提高整体效率。
3. **超低门极电荷** (Qg): 门极电荷是指开关过程中通过门极的总电荷量，Qg值越低表示开关速度越快。
4. **雪崩能量等级** (UIS): 表示MOSFET能够承受反向电压尖峰的能力，这对于保护电路免受过压损坏非常重要。
#### 四、应用领域
10N80-VB广泛应用于以下几种场景：
- **服务器和电信电源供应器**：高效率和可靠的电力转换对于这类设备至关重要。
- **开关模式电源(SMPS)**：适用于各种消费电子产品的电源管理。
- **功率因数校正电源(PFC)**：用于提高电力系统效率。
- **照明**：包括高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器。
- **工业应用**：例如电机驱动、可再生能源系统等。
#### 五、绝对最大额定值
- **漏极-源极电压** (VDS): 最大800V。
- **栅极-源极电压** (VGS): ±30V。
- **连续漏极电流** (ID): 在150°C结温下为7A，在100°C结温下为5.9A。
- **脉冲漏极电流** (IDM): 最大值未给出。
- **线性退化因子**: 89 W/°C。
- **单脉冲雪崩能量** (EAS): 125 mJ。
- **最大功率耗散** (PD): 99W。
- **操作结温和存储温度范围** (TJ,Tstg): -55°C至+150°C。
- **漏极-源极电压斜率** (dV/dt): 2.3 V/ns。
- **反向二极管电压斜率** (dV/dt): 1.6 V/ns。
#### 六、热阻特性
- **最大结温至环境温度热阻** (RthJA): 2°C/W。
- **最大结温至外壳热阻** (RthJC): 0.7°C/W。
#### 七、静态参数
- **漏极-源极击穿电压** (VDS): 在VGS=0V和ID=250μA条件下测量。
- **VDS温度系数** (ΔVDS/T): 每摄氏度变化0.6V。
- **栅源阈值电压** (VGS(th)): 在VDS=VGS且ID=250μA条件下测量。
- **栅源泄漏电流** (IGSS): 在VGS=±30V和TJ=25°C条件下测量。
10N80-VB MOSFET凭借其优异的技术规格和广泛的适用性，成为了众多电源管理和转换应用的理想选择。无论是对于需要高效能转换的应用，还是对于需要可靠性和耐用性的工业用途，10N80-VB都能提供出色的解决方案。
