10N60H-VB；Package：TO220F;Configuration：Single-N-Channel;VDS：650V;VGS：30（±V）;Vth：3.5V;RDS(ON)=830mΩ@VGS=10V；ID：10A;Technology：Plannar;
### 10N60H-VB：一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管
#### 概述
10N60H-VB是一种高性能、单通道N沟道MOS场效应晶体管（MOSFET），采用标准的TO-220F封装形式。此款MOSFET具有较低的导通电阻（Ron）、低输入电容（Ciss）、超低门极电荷（Qg）等特性，这使得它在各种电源转换应用中表现出色，尤其是在需要高效率和快速开关速度的情况下。
#### 特点
- **低Ron×Qg乘积**：这种低的乘积意味着该MOSFET能够在开关过程中保持低损耗。
- **低输入电容（Ciss）**：低输入电容有助于减少开关损耗，提高整体效率。
- **减少开关和导通损耗**：这些特点使得10N60H-VB非常适合高速开关应用。
- **超低门极电荷（Qg）**：门极电荷是衡量开关速度的一个重要参数，低Qg值可以实现更快的开关速度。
- **雪崩能量等级（UIS）**：表示该MOSFET能够承受瞬间过载的能力，增强了其在实际应用中的可靠性。
#### 应用范围
- **服务器和电信电源**：由于其高效性能，10N60H-VB非常适合于服务器和电信设备中的电源模块。
- **开关模式电源（SMPS）**：SMPS广泛应用于电子设备中，10N60H-VB的高效能特性使其成为此类应用的理想选择。
- **功率因数校正电源（PFC）**：PFC技术旨在提高电源的功率因数，10N60H-VB的低损耗特性有助于提高系统效率。
- **照明领域**：
- **高强度放电（HID）照明**：适用于需要高亮度和长寿命照明的场合。
- **荧光灯镇流器**：用于控制电流并启动荧光灯。
#### 参数详情
- **最大漏源电压（VDS）**：650V，这是MOSFET所能承受的最大电压。
- **导通电阻（RDS(on)）**：在VGS为10V时，RDS(on)为830mΩ，表示在正常工作条件下，当MOSFET处于完全开启状态时的电阻。
- **最大栅极电荷（Qg）**：最大值为17.8nC，这是一个衡量开关过程中能量损耗的关键参数。
- **栅源电容（Cgs）**：最大值为5.4nC，影响了开关速度。
- **漏源电容（Cds）**：最大值为5.4nC，对于高频应用尤为重要。
- **最大连续漏极电流（ID）**：10A，在最高结温150°C下可承受的电流。
- **最大脉冲漏极电流（IDM）**：重复性额定值，脉冲宽度受最大结温限制。
- **线性退化因子**：与温度相关的功率降级系数，用于计算在不同温度下的最大允许功耗。
- **单脉冲雪崩能量（EAS）**：最大值为535mJ，表明了MOSFET能够承受的瞬态过载能力。
- **最大功率耗散（PD）**：MOSFET在操作过程中能够安全耗散的最大功率。
- **操作结温和存储温度范围（TJ, Tstg）**：-55至+150°C，确保了在宽泛的环境条件下可靠运行。
#### 绝对最大额定值
- **漏极-源极电压（VDS）**：650V
- **栅极-源极电压（±VGS）**：±3V
- **连续漏极电流（TJ = 150°C）（IDTC）**：10A
- **脉冲漏极电流（IDM）**：根据结温限制
- **线性退化因子（W/°C）**
- **单脉冲雪崩能量（EAS）**：535mJ
- **最大功率耗散（PD）**：取决于封装散热能力
- **操作结温和存储温度范围（TJ, Tstg）**：-55至+150°C
- **漏极-源极电压斜率（TJ = 125°C）（dV/dt）**：与工作温度有关
- **反向二极管dV/dt**
#### 封装规格
- **TO-220F封装**：这是一种常用的封装形式，提供了良好的热性能和电气性能。
- **热阻参数**：
- 最大结到环境热阻（RthJA）：3°C/W
- 最大结到壳热阻（RthJC）：0.6°C/W
10N60H-VB MOSFET以其卓越的性能、可靠的特性和广泛的适用范围，在多种电源应用中展现出极高的价值。无论是服务器还是电信设备，还是照明和功率因数校正等领域，10N60H-VB都是一个值得信赖的选择。
