060P03NS3E-VB；Package：DFN8(5X6)；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-30V；VGS：20（±V）；Vth：-3V；RDS(ON)=6mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V；ID：-120A；Technology：Trench；
### 060P03NS3E-VB 晶体管参数介绍与应用说明
#### 基本概述
060P03NS3E-VB 是一款 P-Channel 的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 DFN8 (5x6) 封装形式。它具有以下特性：
- **封装类型**：DFN8 (5x6)，无引脚设计，适用于高密度安装。
- **配置**：单个 P-Channel。
- **最大工作电压 (VDS)**：-30V，表示该晶体管能够承受的最大漏源电压为 30V。
- **最大栅源电压 (VGS)**：±20V，意味着栅极和源极之间的最大电压差为 20V。
- **阈值电压 (Vth)**：-3V，指晶体管导通时所需的最小栅源电压。
- **导通电阻 (RDS(ON))**：在不同的栅源电压下有不同的值：
- @ VGS = 4.5V 时，RDS(ON) = 6mΩ；
- @ VGS = 10V 时，RDS(ON) = 4mΩ。
- **最大电流 (ID)**：-120A，表示晶体管能通过的最大电流为 120A。
- **技术**：Trench，即沟槽技术。
#### 特性详解
1. **TrenchFET® Power MOSFET**：这是一种基于沟槽结构的功率 MOSFET 技术，相较于传统的平面型 MOSFET，其拥有更低的导通电阻，从而在开关应用中提供更高的效率。
2. **100% Rg Test**：表示所有产品都经过了栅极电阻测试，确保每个晶体管的栅极电阻都在规定的范围内，这有助于提高产品的可靠性。
#### 应用场景
060P03NS3E-VB MOSFET 主要应用于笔记本电脑中的负载开关。负载开关是一种用于控制电源通断的关键元件，通常用于管理大电流或高电压的切换。
#### 绝对最大额定值
绝对最大额定值是晶体管正常运行时所不能超过的极限值，如果超过这些值，可能会导致晶体管永久损坏。060P03NS3E-VB 的绝对最大额定值包括：
- **最大漏源电压 (VDSS)**：-30V。
- **最大栅源电压 (VGS)**：±20V。
- **连续漏极电流 (ID)**：-120A (Tj = 150°C)。
- **脉冲漏极电流 (IDM)**：-280A (Tc = 25°C)。
- **连续源极-漏极二极管电流 (IS)**：-80A (Tc = 25°C)。
- **单脉冲雪崩电流 (IAS)**：60A (IL = 0.1mA)。
- **单脉冲雪崩能量 (EAS)**：160mJ (Tc = 25°C)。
- **最大功耗 (PD)**：10W (Tc = 25°C)。
- **工作温度范围 (TJ)**：-55°C 至 150°C。
#### 热阻
- **最大结温至环境温度热阻 (RthJA)**：15°C/W 至 20°C/W。
- **最大结温至外壳温度热阻 (RthJC)**：0.9°C/W 至 1.2°C/W。
#### 安装注意事项
- 不建议使用烙铁手动焊接无引脚组件，以免损伤。
- 最大持续状态下的结温不超过 54°C/W。
- 在特定的热测试条件下，热阻最高可达 20°C/W。
#### 结论
060P03NS3E-VB MOSFET 是一款性能优异的 P-Channel MOSFET，适用于需要高效能、低损耗的场合，如笔记本电脑的负载开关等。其独特的 TrenchFET 技术使得该晶体管具有较低的导通电阻，从而降低了功耗并提高了整体系统的效率。同时，它还具有较高的可靠性和稳定性，能够满足各种苛刻的应用需求。
