RQ3E120AT是东洋电子公司生产的一款P型通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，具备低导通电阻、高功率小型封装、无铅引脚镀层、符合RoHS标准以及无卤素特性。它适用于在30V电压以下、39A电流以内的开关应用。
RQ3E120AT的关键性能参数如下：
- 漏源电压(VDSS)为-30V
- 最大导通电阻(RDS(on)(Max.))为8.0毫欧
- 漏极电流(ID)为±39A
- 封装为HSMT8形式
- 最大功率耗散(PD)为20W
RQ3E120AT的其他特点包括：
1) 低导通电阻，可以提高功率转换效率；
2) 高功率小型封装(HSMT8)，有利于节省电路板空间；
3) 无铅引脚镀层，符合环保要求；
4) 无卤素，有助于保护环境；
5) 符合AEC-Q101标准，适用于汽车电子产品。
该器件的封装和贴装参数是：
- 包装形式：压凸带式(Tape)
- 贴带宽度：12mm
- 基本订购单位：3000个
- 贴带代码：TB
- 标记：E120AT
RQ3E120AT的绝对最大额定值在环境温度为25°C时，如果未作其他说明的话：
- 漏源电压(VDSS)不能超过-30V；
- 持续漏极电流(ID)，在管座温度为25°C时，最大为±39A；在环境温度为25°C时，为±12A；
- 脉冲漏极电流(IDP)，最大为±48A；
- 栅源电压(VGSS)在±20V范围内；
- 单脉冲雪崩电流(IAS)为-12A；
- 单脉冲雪崩能量(EAS)为10.7mJ；
- 功率耗散(PD)在管座温度为25°C时，为20W；环境温度为25°C时，为2W；
- 结温(Tj)不超过150℃；
- 工作结温与存储温度范围为-55℃到+150℃。
在热性能参数方面：
- 结壳热阻(RthJC)在-℃/W到6.2℃/W之间；
- 结环热阻(RthJA)在-℃/W到62.5℃/W之间。
在电气特性方面：
- 漏源击穿电压(V(BR)DSS)在VGS=0V、ID=-1mA时，为-30V；
- 漏源击穿电压温度系数(ΔV(BR)DSS)在ID=-1mA时，为-22mV/℃；
- 零栅压漏极电流(IDSS)在VDS=-30V、VGS=0V时，不超过-1μA；
- 栅源漏电流(IGSS)在VGS=±20V、VDS=0V时，不超过±100nA；
- 栅阈值电压(VGS(th))在VDS=-10V、ID=-1mA时，为-1.0V到-2.5V；
- 栅阈值电压温度系数(ΔVGS(th))在ID=-1mA时，为2.9mV/℃；
- 静态漏源导通电阻(RDS(on))在VGS=-10V、ID=-12A时，为6.1mΩ到8.0mΩ；在VGS=-4.5V、ID=-12A时，为8.7mΩ到11.3mΩ；
- 栅电阻(RG)在频率为1MHz、开漏极条件下，为3.9Ω；
- 正向转移导纳(|Yfs|)在VDS=-5V、ID=-12A时，为15S。
器件使用时需注意其极限条件，如过高的电压、电流或功率耗散都可能造成器件损坏。在热性能参数的分析中，结壳热阻和结环热阻提供了关于封装热特性的参考数据，有助于器件的散热设计。此外，电气特性部分的数据对于电路设计人员来说至关重要，其中包括了晶体管的开关特性、漏电流等关键参数。所有这些参数对于确定器件在特定应用中的性能表现至关重要。
RQ3E120AT的这些特性使其成为电源管理和开关应用中的理想选择。它可以在较低的导通电阻下提供较高的电流承载能力，同时保持较小的封装尺寸。此外，该MOSFET的环保特性，如无铅和无卤素要求，使其也适合于那些对环境标准有着严格要求的应用场景。
