084P03NS3E-VB；Package：DFN8(5X6)；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-30V；VGS：20（±V）；Vth：-3V；RDS(ON)=6mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V；ID：-120A；Technology：Trench；
### 084P03NS3E-VB 晶体管参数介绍与应用说明
#### 基本概述
084P03NS3E-VB 是一款 P-Channel 的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 DFN8 (5x6) 封装形式。它具有以下特性：
- **封装类型**：DFN8 (5x6)，无引脚设计，适用于高密度安装。
- **配置**：单个 P-Channel。
- **最大工作电压 (VDS)**：-30V，表示该晶体管能够承受的最大源极到漏极之间的电压为 -30V。
- **栅极至源极电压范围 (VGS)**：±20V，表示栅极和源极之间可以施加的最大电压为 ±20V。
- **阈值电压 (Vth)**：-3V，当栅极相对于源极的电压低于此值时，晶体管将开始导通。
- **导通电阻 (RDS(ON))**：在不同栅源电压下，导通电阻不同，具体数值如下：
- 当 VGS=4.5V 时，RDS(ON)=6mΩ；
- 当 VGS=10V 时，RDS(ON)=4mΩ。
- **最大连续电流 (ID)**：-120A，在特定条件下，晶体管能承受的最大连续电流。
#### 技术特点
这款 MOSFET 使用了 Trench 技术，即沟槽技术，这有助于提高晶体管的性能，降低导通电阻，并提高整体效率。同时，它还具有以下特点：
- **无卤素**：符合环保标准，不含卤素元素。
- **100% Rg 测试**：确保每个产品的栅极电阻都经过严格测试，以保证性能的一致性。
#### 应用领域
084P03NS3E-VB MOSFET 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- **笔记本电脑中的负载开关**：用于控制电源路径或实现电源管理功能，如电池充电控制等。
- **电源转换器**：在电源适配器、电源模块等设备中作为开关元件使用，提高转换效率。
- **电机驱动**：适用于小型直流电机的驱动，例如风扇电机等。
#### 参数详解
- **VDS (Drain-Source Voltage)**：最大源极到漏极电压为 -30V，负号表明这是一个 P-Channel MOSFET。
- **VGS (Gate-Source Voltage)**：栅极与源极间的电压范围为 ±20V。
- **Vth (Threshold Voltage)**：阈值电压为 -3V，这是晶体管开始导通的栅极电压。
- **RDS(ON) (On-State Resistance)**：导通电阻随栅源电压变化而变化：
- 在 VGS = 4.5V 时，RDS(ON) = 6mΩ；
- 在 VGS = 10V 时，RDS(ON) = 4mΩ。
- **ID (Continuous Drain Current)**：最大连续电流为 -120A，在不同的环境温度下有所不同：
- 当 TJ = 150°C 时，ID = -120A；
- 当 TA = 25°C 时，ID = -100A；
- 当 TA = 70°C 时，ID = -25.3A。
- **Qg (Input Charge)**：栅极电荷（输入电荷）为 130nC，表示栅极充电所需的电量。
- **TJ (Operating Junction Temperature)**：工作结温范围为 -55°C 至 150°C。
#### 绝对最大额定值
绝对最大额定值是器件能够承受而不被永久损坏的最大值。对于 084P03NS3E-VB 而言，这些值包括：
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**：-30V。
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**：±20V。
- **最大连续漏极电流 (ID)**：-120A。
- **最大脉冲漏极电流 (IDM)**：-280A。
- **最大连续源-漏极二极管电流 (IS)**：-80A。
- **最大单脉冲雪崩电流 (IAS)**：-60A。
- **最大单脉冲雪崩能量 (EAS)**：160mJ。
- **最大功耗 (PD)**：10W。
#### 结论
084P03NS3E-VB 是一款高性能 P-Channel MOSFET，其低导通电阻、宽电压范围以及高电流能力使其成为多种电子应用的理想选择。无论是用于电源管理还是信号控制，该晶体管都能提供稳定的性能表现。
