### UT3418G-AE3-R-VB 概述
#### 产品基本信息
**UT3418G-AE3-R-VB** 是一款采用 **N-Channel沟道** 的 **SOT23封装** 的 **MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）**。此款晶体管的主要特性包括最大 **30V** 的 **Drain-Source电压 (VDS)** 和最大 **6.5A** 的 **连续Drain电流 (ID)**。在标准测试条件下，该晶体管的 **导通电阻 (RDS(ON))** 在 **VGS=10V** 时为 **30mΩ**，在 **VGS=20V** 时保持相同的值。此外，其 **阈值电压 (Vth)** 范围为 **1.2V 至 2.2V**。
#### 主要特点
- **无卤素**: 符合 **IEC 61249-2-21定义**。
- **TrenchFET® 功率MOSFET技术**: 提供了更低的导通电阻和更佳的热性能。
- **100% Rg测试**: 确保每个产品的栅极电阻得到测试，保证了一致性。
- **符合RoHS指令2002/95/EC**：符合欧洲关于限制特定有害物质的规定。
#### 应用场景
- **DC/DC转换器**: 适用于各种电源管理应用中的直流到直流转换。
### 技术规格详情
#### 绝对最大额定值
- **Drain-Source电压 (VDS)**: 最大值为 **30V**。
- **Gate-Source电压 (VGS)**: ±20V。
- **连续Drain电流 (ID)**: 当 **TC = 25°C** 时为 **6.5A**；当 **TC = 70°C** 时为 **6.0A**；当 **TA = 25°C** 时为 **5.3A**；当 **TA = 70°C** 时为 **5.0A**。
- **脉冲Drain电流 (IDM)**: 最大值为 **25A**。
- **连续Source-Drain二极管电流 (IS)**: 当 **TC = 25°C** 时为 **1.4A**；当 **TA = 25°C** 时为 **0.9A**。
- **最大功率耗散 (PD)**: 当 **TC = 25°C** 时为 **1.7W**；当 **TC = 70°C** 时为 **1.1W**；当 **TA = 25°C** 时为 **1.1W**；当 **TA = 70°C** 时为 **0.7W**。
- **工作结温及储存温度范围 (TJ, Tstg)**: -55°C 至 150°C。
- **焊接推荐峰值温度**: 260°C。
#### 静态参数
- **Drain-Source击穿电压 (VDS)**: 在 **ID = 250µA** 条件下，最小值为 **30V**。
- **VDS温度系数 (ΔVDS/TJ)**: 在 **ID = 250µA** 条件下，最小值为 **31mV/°C**。
- **阈值电压 (VGS(th))温度系数**: 未给出具体数值，但这是一个重要的参数，用于描述随着温度变化阈值电压的变化情况。
### 性能优势
- **低导通电阻 (RDS(ON))**: 即使在高电流应用中也能保持较低的功耗，提高效率。
- **宽工作温度范围**: -55°C 至 150°C 的范围使得此MOSFET适用于各种环境条件。
- **高脉冲电流能力**: 适用于需要瞬时大电流的应用场景。
- **紧凑的SOT23封装**: 小巧的设计有助于节省空间，适用于空间受限的电路设计。
### 使用注意事项
- **绝对最大额定值**: 超过这些额定值可能会导致永久性损坏。这些额定值仅作为极限参考，并不意味着可以在这些条件或超出规格书中操作部分所指示的任何其他条件下正常运行。
- **热阻**: 包括最大结至环境的热阻 (RthJA) 和最大结至脚的热阻 (RthJF)，这些参数对于散热设计至关重要。
### 结论
UT3418G-AE3-R-VB 是一款高性能、紧凑型的 N-Channel MOSFET，特别适合应用于需要高效能、小体积的 DC/DC 转换器和其他电源管理系统中。通过其优秀的电气性能、宽泛的工作温度范围以及可靠的制造工艺，这款 MOSFET 成为了许多工程师的理想选择。
