UT3403G-AE3-R-VB一种P-Channel沟道SOT23封装MOS管
### UT3403G-AE3-R-VB:P-Channel沟道SOT23封装MOS管 #### 概述 UT3403G-AE3-R-VB是一种P-Channel沟道的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用SOT23封装形式。该器件的主要特性包括最大额定-30V的漏源电压、-5.6A的最大连续漏极电流以及低至47mΩ的导通电阻(RDS(ON))。 #### 主要特点 - **TrenchFET®技术**:这种技术可以显著降低导通电阻,提高效率,并减小封装尺寸。 - **100% Rg测试**:确保了所有产品的栅极电阻符合标准,提高了产品的一致性和可靠性。 #### 应用领域 - **移动计算设备**: - 负载开关:用于控制负载电路中的电流流动。 - 笔记本适配器开关:在电源管理中起到关键作用,实现高效能转换。 - DC/DC转换器:将一个直流电压转换为另一个直流电压,在电源管理方面有着广泛的应用。 #### 参数详解 - **最大漏源电压(VDS)**:-30V,即在栅源电压为0V时,漏源间所能承受的最大反向电压。 - **导通电阻(RDS(ON))**:典型值为46mΩ(VGS=-10V),表示当栅源电压为-10V时,MOSFET完全开启状态下的漏源间电阻。此值在VGS=-6V时为49mΩ,在VGS=-4.5V时为54mΩ。 - **最大连续漏极电流(ID)**:-5.6A(TC=25°C),指在指定温度条件下,MOSFET所能持续通过的最大电流。 - **栅极电荷(Qg)**:典型值为11.4nC,是MOSFET完全开启到关闭过程中,栅极电荷的变化量,反映了器件的开关性能。 - **阈值电压(Vth)**:-1V,表示使MOSFET进入导通状态所需的最小栅源电压。 #### 绝对最大额定值 - **漏源电压(VDS)**:-30V - **栅源电压(VGS)**:±20V - **连续漏极电流(ID)**:在不同温度条件下有所变化,例如在TC=25°C时为-5.6A,在TC=70°C时降为-4.3A。 - **脉冲漏极电流(IDM)**:-18A - **连续源漏二极管电流(IS)**:在不同温度下也有不同的值,如在TC=25°C时为-2.1A。 - **最大功率耗散(PD)**:同样会随着温度条件的不同而变化,例如在TC=25°C时为2.5W,在TC=70°C时则降至0.8W。 #### 热阻参数 - **结到环境热阻(RthJA)**:典型值为75°C/W,最大值为100°C/W。 - **结到脚(漏极)热阻(RthJF)**:稳定状态下为40°C/W至50°C/W之间。 #### 工作与存储温度范围 - **工作结温与存储温度范围(TJ, Tstg)**:-55°C至150°C。 #### 结论 UT3403G-AE3-R-VB作为一种高性能的P-Channel沟道SOT23封装MOSFET,凭借其优秀的电气性能和广泛的适用性,在移动计算设备等应用领域展现出巨大的潜力。该器件不仅具备低导通电阻的特点,还拥有较高的连续电流承载能力和可靠的热性能表现,是电源管理和信号切换的理想选择。
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