### UT3403G-AE3-R-VB：P-Channel沟道SOT23封装MOS管
#### 概述
UT3403G-AE3-R-VB是一种P-Channel沟道的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT23封装形式。该器件的主要特性包括最大额定-30V的漏源电压、-5.6A的最大连续漏极电流以及低至47mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。
#### 主要特点
- **TrenchFET®技术**：这种技术可以显著降低导通电阻，提高效率，并减小封装尺寸。
- **100% Rg测试**：确保了所有产品的栅极电阻符合标准，提高了产品的一致性和可靠性。
#### 应用领域
- **移动计算设备**：
- 负载开关：用于控制负载电路中的电流流动。
- 笔记本适配器开关：在电源管理中起到关键作用，实现高效能转换。
- DC/DC转换器：将一个直流电压转换为另一个直流电压，在电源管理方面有着广泛的应用。
#### 参数详解
- **最大漏源电压(VDS)**：-30V，即在栅源电压为0V时，漏源间所能承受的最大反向电压。
- **导通电阻(RDS(ON))**：典型值为46mΩ（VGS=-10V），表示当栅源电压为-10V时，MOSFET完全开启状态下的漏源间电阻。此值在VGS=-6V时为49mΩ，在VGS=-4.5V时为54mΩ。
- **最大连续漏极电流(ID)**：-5.6A（TC=25°C），指在指定温度条件下，MOSFET所能持续通过的最大电流。
- **栅极电荷(Qg)**：典型值为11.4nC，是MOSFET完全开启到关闭过程中，栅极电荷的变化量，反映了器件的开关性能。
- **阈值电压(Vth)**：-1V，表示使MOSFET进入导通状态所需的最小栅源电压。
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压(VDS)**：-30V
- **栅源电压(VGS)**：±20V
- **连续漏极电流(ID)**：在不同温度条件下有所变化，例如在TC=25°C时为-5.6A，在TC=70°C时降为-4.3A。
- **脉冲漏极电流(IDM)**：-18A
- **连续源漏二极管电流(IS)**：在不同温度下也有不同的值，如在TC=25°C时为-2.1A。
- **最大功率耗散(PD)**：同样会随着温度条件的不同而变化，例如在TC=25°C时为2.5W，在TC=70°C时则降至0.8W。
#### 热阻参数
- **结到环境热阻(RthJA)**：典型值为75°C/W，最大值为100°C/W。
- **结到脚（漏极）热阻(RthJF)**：稳定状态下为40°C/W至50°C/W之间。
#### 工作与存储温度范围
- **工作结温与存储温度范围(TJ, Tstg)**：-55°C至150°C。
#### 结论
UT3403G-AE3-R-VB作为一种高性能的P-Channel沟道SOT23封装MOSFET，凭借其优秀的电气性能和广泛的适用性，在移动计算设备等应用领域展现出巨大的潜力。该器件不仅具备低导通电阻的特点，还拥有较高的连续电流承载能力和可靠的热性能表现，是电源管理和信号切换的理想选择。
