### UT3414G-AE3-R-VB 概述
#### 产品特性
- **无卤素**: 根据IEC 61249-2-21定义，该器件为无卤素产品。
- **TrenchFET®功率MOSFET**: 采用了先进的TrenchFET技术，提高了效率并减少了损耗。
- **100% Rg测试**: 所有出厂产品均经过栅极电阻(Rg)测试，确保了产品的可靠性和一致性。
- **符合RoHS指令2002/95/EC**: 该产品符合欧盟关于限制在电子电气设备中使用某些有害物质的指令。
#### 应用范围
- **DC/DC转换器**: 适用于电源管理和调节系统中的DC/DC转换应用。
- **便携式设备负载开关**: 在移动设备和其他便携式电子产品中作为负载开关使用。
### 参数解析
**UT3414G-AE3-R-VB**是一款N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管，其主要参数如下：
- **最大工作电压(VDS)**: 20V
- **连续工作电流(ID)**: 最大6A（TJ=150°C）
- **导通电阻(RDS(on))**:
- 24mΩ @ VGS=4.5V
- 24mΩ @ VGS=8V
- **阈值电压(Vth)**: 0.45~1V
- **输入电荷(Qg)**:
- 8nC @ VGS=2.5V
- 5.6nC @ VGS=1.8V
### 绝对最大额定值
这些值为器件能够承受的最大极限值，超过这些值可能会导致永久性损坏。它们仅用于评估器件的极限能力，并不代表器件在此条件下的正常工作性能。
- **漏源电压(VDS)**: ±20V
- **栅源电压(VGS)**: ±12V
- **连续漏极电流(ID)**:
- 最大6A (TJ=150°C)
- 5.15A (TA=25°C, TJ=70°C)
- **脉冲漏极电流(IDM)**: 20A (TC=25°C)
- **连续源极-漏极二极管电流(CIS)**:
- 1.75A (TC=25°C)
- 1.04A (TA=25°C, TJ=70°C)
- **最大功耗(CPD)**:
- 2.1W (TC=70°C)
- 1.3W (TA=25°C, TJ=70°C)
### 工作温度范围
- **操作结温和存储温度(TJ, Tstg)**: -55°C 至 +150°C
### 热阻
- **最大结至环境热阻(RthJA)**: 80°C/W (t≤5s)
- **最大结至脚(漏极)热阻(RthJF)**: 40°C/W (稳态)
### 静态参数
- **漏-源击穿电压(VDS)**:
- 测试条件: VGS=0V, ID=250µA
### 封装说明
- **封装类型**: SOT23
- **引脚配置**: 采用标准SOT23封装，顶部视图显示为典型的三脚布局。
### 总结
**UT3414G-AE3-R-VB**是一款高性能、低功耗的N-Channel沟道SOT23封装MOSFET。其具备高电流处理能力和较低的导通电阻，非常适合应用于便携式设备的电源管理及DC/DC转换器中。此外，该器件符合RoHS指令且为无卤素设计，体现了其环保特性。对于需要高效能、低损耗的应用场景来说，UT3414G-AE3-R-VB是一个理想的选择。
