### UT3406L-AE3-R-VB 概述
#### 产品基本信息
**UT3406L-AE3-R-VB** 是一款采用 **N-Channel沟道** 的 **SOT23封装** 的 **MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）**。此款晶体管的主要特性包括最大 **30V** 的 **Drain-Source电压 (VDS)** 和最大 **6.5A** 的 **连续Drain电流 (ID)**。在标准测试条件下，该晶体管的 **导通电阻 (RDS(ON))** 在 **VGS=10V** 时为 **30mΩ**，在 **VGS=20V** 时保持相同的值。此外，其 **阈值电压 (Vth)** 范围为 **1.2V 至 2.2V**。
#### 主要特性
- **无卤素**: 符合 **IEC 61249-2-21定义**。
- **TrenchFET® 功率MOSFET技术**: 提供了更低的导通电阻和更高效的热管理性能。
- **100% Rg测试**: 确保每个产品的栅极电阻得到测试，保证了一致性和可靠性。
- **符合RoHS指令2002/95/EC**: 体现了产品的环保性。
#### 应用场景
- **DC/DC转换器**: 适用于各种电源转换应用，如笔记本电脑电源适配器、服务器电源供应单元等。
### 技术规格详解
#### 绝对最大额定值
- **Drain-Source电压 (VDS)**: 最大值为 **30V**。
- **Gate-Source电压 (VGS)**: 允许的最大范围为 **±20V**。
- **连续Drain电流 (ID)**: 当 **结温 (TJ)** 为 **150°C** 时，最大值为 **6.5A**；当环境温度 **TA** 为 **25°C** 时，最大值为 **5.3A**。
- **脉冲Drain电流 (IDM)**: 最大值为 **25A**。
- **连续Source-Drain二极管电流 (IS)**: 当 **TC=25°C** 时，最大值为 **1.4A**；当 **TA=25°C** 时，最大值为 **0.9A**。
- **最大功率耗散 (PD)**: 当 **TC=25°C** 时，最大值为 **1.7W**；当 **TC=70°C** 时，最大值为 **1.1W**。
- **工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg)**: 范围为 **-55°C 至 150°C**。
#### 热阻特性
- **最大结至环境热阻 (RthJA)**: 在 **t≤5s** 的条件下，典型值为 **90°C/W**，最大值为 **115°C/W**。
- **最大结至脚热阻 (RthJF)**: 稳态条件下的典型值为 **60°C/W**，最大值为 **75°C/W**。
#### 静态特性
- **Drain-Source击穿电压 (VDS)**: 当 **VGS=0V**, **ID=250μA** 时，最小值为 **30V**。
- **VDS温度系数 (ΔVDS/TJ)**: 当 **ID=250μA** 时，典型值为 **31mV/°C**。
- **阈值电压温度系数 (ΔVGS(th)/TJ)**: 当 **ID=250μA** 时，典型值为 **-1.5mV/°C**。
#### 动态特性
- **门极电荷 (Qg)**: 在 **VGS=10V** 时，典型值为 **4.5nC**；在 **VGS=4.5V** 时，典型值为 **3.3nC**。
- **传输延迟时间 (td(on), td(off))**: 在 **VGS=10V**, **VDS=30V**, **ID=6.5A** 的条件下，典型值分别为 **25ns** 和 **35ns**。
- **上升时间和下降时间 (tr, tf)**: 在相同条件下，典型值分别为 **15ns** 和 **20ns**。
#### 封装信息
- **SOT23封装**: 采用标准的SOT23封装形式，具有三个引脚。
- **尺寸**: 具有标准的SOT23尺寸和引脚排列。
#### 结论
**UT3406L-AE3-R-VB** 作为一款高性能的N-Channel沟道MOSFET，具有优秀的电气性能和广泛的适用性。其低导通电阻、高效率以及良好的热性能使其成为DC/DC转换器和其他电力电子设备中的理想选择。通过详细了解其技术规格和应用领域，可以更好地利用这款MOSFET的优势来优化电路设计和提高系统的整体性能。
