SOT2304SRG-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
### SOT2304SRG-VB N-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 本文档旨在详细介绍SOT2304SRG-VB这款N-Channel沟道SOT23 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的技术规格及其应用场景。该器件采用先进的TrenchFET技术制造,适用于高效率、紧凑型的电源转换设计。下面将从器件特性、主要技术指标、绝对最大额定值、热阻等角度进行深入探讨。 #### 器件特性 - **无卤素**:符合IEC 61249-2-21标准定义,是一款环保型产品。 - **TrenchFET®功率MOSFET**:采用沟槽栅极结构,提供低导通电阻和高开关性能。 - **100% Rg测试**:确保每个器件都经过严格的栅极电阻测试,提高产品的可靠性和一致性。 - **符合RoHS指令2002/95/EC**:符合欧盟限制有害物质指令,确保产品环保安全。 #### 主要技术指标 - **VDS(V)**:最大漏源电压为30V。 - **RDS(on)(Ω)**: - 在VGS=10V时,导通电阻为0.030Ω。 - 在VGS=4.5V时,导通电阻为0.033Ω。 - **ID(A)**:连续漏极电流最大值为6.5A(TJ=150°C)。 - **aQg(Typ.)**:总栅极电荷为4.5nC(典型值)。 - **Vth**:阈值电压范围为1.2~2.2V。 #### 应用场景 - **DC/DC转换器**:适用于笔记本电脑、服务器、通信设备等高性能电源系统中的高效DC/DC转换。 #### 绝对最大额定值 - **漏源电压**(VDS):±30V。 - **栅源电压**(VGS):±20V。 - **连续漏极电流**(ID): - 在TJ=150°C时,ID最大值为6.5A。 - 在TC=25°C时,ID最大值为6.5A。 - 在TA=25°C时,ID最大值为5.3A。 - 在TA=70°C时,ID最大值为5.0A。 - **脉冲漏极电流**(IDM):25A。 - **连续源极-漏极二极管电流**(IS): - 在TC=25°C时,IS最大值为1.4A。 - 在TA=25°C时,IS最大值为0.9A。 - **最大功耗**(PD): - 在TC=25°C时,PD最大值为1.7W。 - 在TC=70°C时,PD最大值为1.1W。 - 在TA=25°C时,PD最大值为1.1W。 - 在TA=70°C时,PD最大值为0.7W。 - **工作结温和存储温度范围**(TJ, Tstg):-55°C至+150°C。 #### 热阻 - **结到环境的最大热阻**(RthJA):在t≤5s时,典型值为90°C/W,最大值为115°C/W。 - **结到脚(漏极)的最大热阻**(RthJF):稳态时,典型值为60°C/W,最大值为75°C/W。 #### 测试条件 - **静态参数**: - **漏源击穿电压**(VDS):当VGS=0V,ID=250µA时,最小值为30V。 - **VDS温度系数**(ΔVDS/TJ):当ID=250µA时,最小值为31mV/°C。 - **阈值电压温度系数**(VGS(th)): 以上是SOT2304SRG-VB的主要技术规格及应用范围。该MOSFET以其卓越的性能、高可靠性以及环保特性,在电子设备中发挥着重要作用,特别是在DC/DC转换器领域展现出了强大的优势。通过了解其技术特点和参数,工程师可以更好地利用该器件来优化电路设计,实现更高的能效比和更稳定的性能表现。
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