### SOT2304SRG-VB N-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 概述
本文档旨在详细介绍SOT2304SRG-VB这款N-Channel沟道SOT23 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的技术规格及其应用场景。该器件采用先进的TrenchFET技术制造，适用于高效率、紧凑型的电源转换设计。下面将从器件特性、主要技术指标、绝对最大额定值、热阻等角度进行深入探讨。
#### 器件特性
- **无卤素**：符合IEC 61249-2-21标准定义，是一款环保型产品。
- **TrenchFET®功率MOSFET**：采用沟槽栅极结构，提供低导通电阻和高开关性能。
- **100% Rg测试**：确保每个器件都经过严格的栅极电阻测试，提高产品的可靠性和一致性。
- **符合RoHS指令2002/95/EC**：符合欧盟限制有害物质指令，确保产品环保安全。
#### 主要技术指标
- **VDS（V）**：最大漏源电压为30V。
- **RDS(on)（Ω）**：
- 在VGS=10V时，导通电阻为0.030Ω。
- 在VGS=4.5V时，导通电阻为0.033Ω。
- **ID（A）**：连续漏极电流最大值为6.5A（TJ=150°C）。
- **aQg（Typ.）**：总栅极电荷为4.5nC（典型值）。
- **Vth**：阈值电压范围为1.2~2.2V。
#### 应用场景
- **DC/DC转换器**：适用于笔记本电脑、服务器、通信设备等高性能电源系统中的高效DC/DC转换。
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压**（VDS）：±30V。
- **栅源电压**（VGS）：±20V。
- **连续漏极电流**（ID）：
- 在TJ=150°C时，ID最大值为6.5A。
- 在TC=25°C时，ID最大值为6.5A。
- 在TA=25°C时，ID最大值为5.3A。
- 在TA=70°C时，ID最大值为5.0A。
- **脉冲漏极电流**（IDM）：25A。
- **连续源极-漏极二极管电流**（IS）：
- 在TC=25°C时，IS最大值为1.4A。
- 在TA=25°C时，IS最大值为0.9A。
- **最大功耗**（PD）：
- 在TC=25°C时，PD最大值为1.7W。
- 在TC=70°C时，PD最大值为1.1W。
- 在TA=25°C时，PD最大值为1.1W。
- 在TA=70°C时，PD最大值为0.7W。
- **工作结温和存储温度范围**（TJ, Tstg）：-55°C至+150°C。
#### 热阻
- **结到环境的最大热阻**（RthJA）：在t≤5s时，典型值为90°C/W，最大值为115°C/W。
- **结到脚（漏极）的最大热阻**（RthJF）：稳态时，典型值为60°C/W，最大值为75°C/W。
#### 测试条件
- **静态参数**：
- **漏源击穿电压**（VDS）：当VGS=0V，ID=250µA时，最小值为30V。
- **VDS温度系数**（ΔVDS/TJ）：当ID=250µA时，最小值为31mV/°C。
- **阈值电压温度系数**（VGS(th)）：
以上是SOT2304SRG-VB的主要技术规格及应用范围。该MOSFET以其卓越的性能、高可靠性以及环保特性，在电子设备中发挥着重要作用，特别是在DC/DC转换器领域展现出了强大的优势。通过了解其技术特点和参数，工程师可以更好地利用该器件来优化电路设计，实现更高的能效比和更稳定的性能表现。
