### ST3007SRG-VB：一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
#### 概述
ST3007SRG-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），其最大工作电压为-30V，连续电流能力可达-5.6A，在VGS=10V时的导通电阻RDS(on)为47mΩ。该器件适用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等应用。
#### 特点与优势
- **TrenchFET®功率MOSFET技术**：该技术通过减少导通电阻并优化开关性能，从而实现更高的效率和更小的尺寸。
- **100% Rg测试**：确保每个器件在生产过程中都经过了栅极电阻（Rg）的一致性测试，提高了可靠性和一致性。
#### 主要参数
- **工作电压范围**：VDS（漏源电压）的最大绝对值为-30V。
- **导通电阻**：RDS(on)（在VGS=10V时）典型值为47mΩ。
- **连续电流能力**：ID（连续漏极电流）在环境温度为25°C时最大为-5.6A。
- **栅极电荷**：Qg（栅极电荷）在VGS为-10V时典型值为11.4nC。
- **阈值电压**：Vth（阈值电压）为-1V。
#### 绝对最大额定值
- **最大漏源电压**：VDS = -30V。
- **最大栅源电压**：VGS = ±20V。
- **最大连续漏极电流**：ID（当TJ = 150°C时）为-5.6A；当TC = 25°C时为-5.4A；当TA = 25°C时为-5.6A；当TC = 70°C时为-4.3A。
- **最大脉冲漏极电流**：IDM = -18A。
- **最大连续源极至漏极二极管电流**：IS = -2.1A。
- **最大耗散功率**：PD = 2.5W（TC = 25°C）；PD = 1.6W（TC = 70°C）。
- **最大工作结温及存储温度范围**：TJ, Tstg = -55°C至150°C。
#### 热阻特性
- **最大结到环境热阻**（RthJA）：在t ≤ 5s条件下，典型值为75°C/W，最大值为100°C/W。
- **最大结到脚（漏极）热阻**（RthJF）：在稳态条件下，典型值为40°C/W，最大值为50°C/W。
#### 测试条件与注意事项
- **脉冲测试条件**：脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%。
- **设计保证**：某些参数虽未进行生产测试，但已通过设计保证，以确保器件的可靠性。
#### 应用场景
- **移动计算设备**：如智能手机、平板电脑中的电源管理电路。
- **笔记本适配器开关**：用于提高适配器的效率和减小体积。
- **DC/DC转换器**：应用于笔记本电脑、服务器、电信设备等需要高效能转换的应用场景。
#### 总结
ST3007SRG-VB作为一款高性能的P-Channel MOSFET，具有较低的导通电阻、良好的热性能以及宽广的工作温度范围，非常适合于需要高效率和小型化的设计场合。无论是用于移动计算设备中的电源管理，还是笔记本适配器或DC/DC转换器，都能提供卓越的性能表现。
