### ST3401SRG-VB：一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
#### 概述
ST3401SRG-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），其最大工作电压为-30V，连续电流能力可达-5.6A，在VGS=10V时的导通电阻RDS(on)为47mΩ。该器件适用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等应用。
#### 特点与优势
- **TrenchFET®功率MOSFET技术**：该技术提高了器件的效率并减少了开关损耗。
- **100% Rg测试**：确保了所有产品的可靠性和一致性。
#### 应用领域
- **移动计算设备**：
- 负载开关：用于控制电源向负载的供电。
- 笔记本适配器开关：在电源管理中起到关键作用，实现高效能转换。
- DC/DC转换器：将一个直流电压转换为另一个直流电压，通常用于电源管理。
#### 技术规格
- **最大工作电压（VDS）**：-30V
- **导通电阻RDS(on)**：典型值为47mΩ（当VGS=10V时）
- **连续电流ID**：-5.6A
- **栅极电荷Qg（典型值）**：11.4nC
- **阈值电压VGS(th)**：-1V
#### 绝对最大额定值
- **最大工作电压VDS**：-30V
- **最大栅源电压VGS**：±20V
- **连续漏极电流ID（结温150°C时）**：-5.6A
- **脉冲漏极电流IDM（t=100μs）**：-18A
- **最大耗散功率PD**：取决于环境温度TA，在25°C下为2.5W，在70°C下为1.6W
- **工作和存储温度范围TJ, Tstg**：-55°C至150°C
#### 热阻参数
- **最大结至环境热阻RthJA**：75°C/W（典型值），100°C/W（最大值）
- **最大结至脚（漏极）热阻RthJF**：40°C/W（典型值），50°C/W（最大值）
#### 测试条件
- **静态参数**：
- **漏源击穿电压VDS**：在ID=-250μA、VGS=0V条件下测得，最小值不适用，最大值为-30V。
- **VDS温度系数**：在ID=-250μA条件下测得，最小值不适用，最大值为-19mV/°C。
- **阈值电压VGS(th)温度系数**：未给出具体数值，但该参数随温度变化而变化，对于温度敏感应用至关重要。
#### 注意事项
- 在超出“绝对最大额定值”的情况下使用可能会导致永久性损坏。这些额定值仅用于指示极限条件，并不代表在这些或任何其他超出规范的操作条件下的功能性。
- 长时间暴露于绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
#### 结论
ST3401SRG-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET，特别适合用于移动计算设备中的电源管理和信号切换。其紧凑的SOT23封装、高效率及低导通电阻使得它成为设计者在开发高性能便携式电子设备时的理想选择。通过了解其详细的技术参数和特点，工程师们可以更好地利用这款器件来满足特定的应用需求。
