WNM2021-VB一种N沟道SC70-3封装MOS管

WNM2021-VB是一款N沟道MOSFET，采用SC70-3封装，具有紧凑的尺寸和高效能。这款MOSFET是专为便携式设备和电机控制应用设计的，例如作为负载开关或电池开关，以及用于驱动马达、继电器和电磁铁。 技术特性： 1. 无卤素，符合IEC 61249-2-21定义，这意味着该器件不含卤化物质，有利于环保。 2. 它采用了TrenchFET®技术，这是一种先进的沟槽型功率MOSFET结构，能够提供更好的开关性能和更低的导通电阻。 3. 具有典型的人体模型（HBM）ESD保护能力，可以承受2000V的静电放电，提高了抗静电干扰的能力。 4. 100%栅极电荷（Rg）测试，确保了器件的一致性和可靠性。 5. 符合RoHS指令2002/95/EC，表明该产品不含有害物质，符合欧盟的环保标准。 电气参数： - 在VGS = 10V时，典型导通电阻（RDS(on)）为0.036欧姆；在VGS = 4.5V时，为0.040欧姆；在VGS = 2.5V时，为0.048欧姆。这表示随着栅极电压的降低，导通电阻逐渐增大。 - 栅极电荷（Qg）在典型条件下为44nC，这影响了开关速度和功耗。 - 最大连续源漏电流（ID）在不同温度下有所不同，如在25°C时为4A，在70°C时为3.7A。 绝对最大额定值： - 漏源电压（VDS）为20V，超过此值可能导致器件损坏。 - 栅源电压（VGS）的极限为±12V，确保操作安全。 - 在150°C结温下，连续漏源电流的最大值为4A，而在70°C时为3.7A。 - 脉冲漏电流（IDM）限制为20A，脉宽为300微秒，占空比不超过2%。 - 持续源漏二极管电流（IS）在不同条件下的值也有所区别，反映了二极管反向恢复特性的限制。 - 最大功率耗散（PD）在25°C时为2.8W，在70°C时为1.8W。 热特性： - 结到环境的热阻（RthJA）在不同条件下的典型值为60°C/W，最大值为80°C/W，影响了器件在高热环境下的散热能力。 - 结到脚的热阻（RthJF）在稳态条件下为34°C/W，对于SOT-323或SC-70（3引脚）封装的器件，这一数值对散热很重要。 注意： - 静态漏源击穿电压（VDS）是在栅极电压为0V时测量的，这是器件能承受的最大电压，超过了这个值可能会导致器件失效。 - 所提供的绝对最大额定值仅作为应力测试的参考，长期超出这些条件可能会影响器件的可靠性。 WNM2021-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要低功耗、快速开关和紧凑封装的应用场景。其出色的ESD保护、低RDS(on)和良好的热特性使其成为便携设备和电机控制的理想选择。