WNM2023-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
### WNM2023-3-TR-VB SOT23封装N-Channel场效应MOS管详解 #### 概述 WNM2023-3-TR-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。该产品具有低导通电阻、高可靠性和紧凑尺寸等特点,适用于便携式设备中的直流转换器(DC/DC Converter)和负载开关应用。 #### 特性 - **无卤素**:符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准。 - **TrenchFET®功率MOSFET技术**:采用先进的TrenchFET技术,实现更低的导通电阻和更高的效率。 - **100% Rg测试**:确保每个器件都经过栅极电阻测试,提高产品一致性。 - **RoHS合规**:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求,确保产品的环保性。 #### 应用范围 - **DC/DC转换器**:适用于电源管理模块中的电压转换。 - **便携式设备负载开关**:在智能手机、平板电脑等便携式电子设备中用于控制电源分配。 #### 技术参数 - **最大漏源电压(VDS)**:20V。 - **连续漏极电流(ID)**: - 在结温(TJ)为150°C时为6A; - 在环境温度(TA)为25°C时为5.15A; - 在环境温度(TA)为70°C时为4A。 - **脉冲漏极电流(IDM)**:20A(TA = 25°C)。 - **导通电阻(RDS(on))**: - 在VGS=4.5V时为28mΩ; - 在VGS=8V时为42mΩ。 - **门极电荷(Qg)**:典型值为8nC。 - **阈值电压(Vth)**:0.45V至1V。 - **最大耗散功率(CPD)**: - 在TA = 25°C时为2.1W; - 在TA = 70°C时为1.3W。 - **工作结温和储存温度范围(TJ, Tstg)**:-55°C至150°C。 - **热阻(Rth)**: - 最大结对空气热阻(RthJA)为100°C/W; - 最大结对引脚热阻(RthJF)为60°C/W。 #### 绝对最大额定值 - **漏源电压(VDS)**:±20V。 - **栅源电压(VGS)**:±12V。 - **连续漏极电流(ID)**:最大6A(TJ = 150°C)。 - **脉冲漏极电流(IDM)**:20A(TA = 25°C)。 - **连续源漏二极管电流(CIS)**:最大1.75A(TA = 25°C)。 - **最大耗散功率(CPD)**:最大2.1W(TA = 25°C)。 #### 测试条件 - 静态参数如漏源击穿电压(VDS)的测试条件为:VGS=0V,ID=250μA。 #### 总结 WNM2023-3-TR-VB是一款高性能、紧凑型的N-Channel MOSFET,特别适合于便携式设备中的电源管理电路。其低导通电阻、高效率以及广泛的温度适用范围使其成为DC/DC转换器和负载开关的理想选择。此外,该器件还满足了严格的环保标准,包括无卤素和RoHS合规性,这使得它能够在各种应用中得到广泛使用。
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