WNM2027-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
### WNM2027-3-TR-VB SOT23封装N-Channel场效应MOS管技术解析 #### 概述 WNM2027-3-TR-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电源管理应用场合,如DC/DC转换器和便携式设备中的负载开关等。该器件具有低导通电阻、高效率和小型化的特点,是便携式电子设备和电源管理系统中不可或缺的组成部分。 #### 主要特性 - **无卤素**:根据IEC 61249-2-21定义,该MOSFET为无卤素设计,符合环保要求。 - **TrenchFET® 功率MOSFET**:采用先进的TrenchFET技术,提高了器件的性能和可靠性。 - **100% Rg 测试**:确保每个器件的栅极电阻都经过严格测试,保证了器件的一致性和稳定性。 - **RoHS合规**:符合RoHS指令2002/95/EC的要求,不含特定有害物质。 #### 应用领域 - **DC/DC转换器**:用于将直流电压转换成另一组直流电压,广泛应用于各种电子设备中。 - **便携式设备负载开关**:在手机、平板电脑等便携式电子设备中作为电源管理的关键组件。 #### 产品概述 - **RDS(on)**(导通电阻):在VGS=4.5V时,RDS(on)为24mΩ;在VGS=8V时,RDS(on)进一步降低至更低值。 - **最大VDS**(漏源电压):20V。 - **最大ID**(漏极电流):6A。 - **阈值电压Vth**:0.45V~1V。 - **电荷Qg**(输入电荷):在不同的栅极电压下,输入电荷不同,例如,在VGS=2.5V时,Qg约为8nC;在VGS=1.8V时,Qg约为5.6nC。 #### 绝对最大额定值 绝对最大额定值是在不损坏器件的前提下所能承受的最大值。对于WNM2027-3-TR-VB来说: - **漏源电压VDS**:20V。 - **栅源电压VGS**:±12V。 - **连续漏极电流ID**: - 在结温TJ=150°C时,连续漏极电流可达6A。 - 在环境温度TA=25°C时,连续漏极电流可达5.15A。 - 在环境温度TA=70°C时,连续漏极电流降至4A。 - **脉冲漏极电流IDM**:20A(在TA=25°C条件下)。 - **连续源漏二极管电流CIS**:1.75A(TA=25°C条件下)。 - **最大功率耗散CPD**:2.1W(TA=70°C条件下)。 #### 工作温度范围 - **结温和存储温度范围TJ, Tstg**:-55°C 至 +150°C。 #### 焊接建议 - **峰值温度**:最高焊接温度推荐为260°C。 #### 热阻评级 - **Junction-to-Ambient RthJA**:80°C/W(最大值100°C/W)。 - **Junction-to-Foot RthJF**:40°C/W(最大值60°C/W)。 #### 结论 WNM2027-3-TR-VB是一款高性能、高可靠性的N-Channel沟道场效应晶体管,其独特的设计使其在DC/DC转换器和便携式设备负载开关应用中表现出色。通过采用先进的TrenchFET技术,该器件不仅具备低导通电阻的优点,还能够在紧凑的空间内实现高效的电源管理功能。此外,其无卤素的设计和RoHS合规性也使得它成为环保意识强的应用场合的理想选择。
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