### WNM2306B-3-TR-VB 概述
WNM2306B-3-TR-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel场效应晶体管（MOSFET），主要应用于便携式设备中的直流变换器及负载开关等场合。该产品具有低导通电阻、高可靠性等特点，并且符合环保标准。
### 特性
1. **无卤素设计**：根据IEC 61249-2-21定义，该器件采用无卤素材料制造，更加环保。
2. **TrenchFET®功率MOSFET技术**：采用了先进的沟槽栅极技术，提高了开关性能和效率。
3. **全Rg测试**：确保了每个产品的栅极电阻都经过了严格的测试，保证了一致性和稳定性。
4. **符合RoHS指令**：满足欧盟2002/95/EC指令的要求，不含限制使用的有害物质。
### 应用范围
- **直流/直流转换器**：适用于电源管理中的电压转换。
- **便携式设备的负载开关**：可用于手机、平板电脑等设备中的电源控制。
### 参数摘要
| 参数 | 典型值 | 条件 |
|-------------------|-------|----------------------------------|
| RDS(on) (Ω) | 24mΩ | VGS = 4.5V |
| RDS(on) (Ω) | 28mΩ | VGS = 4.5V, VDS = 20V |
| RDS(on) (Ω) | 42mΩ | VGS = 8V |
| Qg (Typ.) (nC) | 8nC | VGS = 2.5V |
| Qg (Typ.) (nC) | 5.6nC | VGS = 1.8V |
### 绝对最大额定值
- **排水源电压** (VDS)：20V
- **门源电压** (VGS)：±12V
- **连续排水电流** (ID)：
- TJ = 150°C时为6A
- TC = 25°C时为5.15A
- TC = 70°C时为4A
- **脉冲排水电流** (IDM)：20A (TC = 25°C)
- **连续源漏二极管电流** (CIS)：
- 1.75A (TC = 25°C)
- 1.04A (TC = 25°C, C = 4A)
- **最大耗散功率** (CPD)：
- 2.1W (TC = 70°C)
- 1.3W (TC = 25°C, C = 4A)
- 1.25W (TC = 25°C, C = 4A)
- 0.8W (TC = 70°C, C = 4A)
- **工作结温和存储温度范围** (TJ, Tstg)：-55°C 至 150°C
- **焊接推荐温度** (峰值温度)：260°C
### 热阻率
- **最大结至环境热阻** (RthJA)：80°C/W 至 100°C/W
- **最大结至脚（排水）热阻** (RthJF)：40°C/W 至 60°C/W
### 静态参数
- **排水源击穿电压** (VDS)：在VGS = 0V，ID = 250μA条件下测量。
### 总结
WNM2306B-3-TR-VB作为一款高性能N-Channel MOSFET，具有以下特点：
1. **低导通电阻**：在不同的VGS条件下，RDS(on)的典型值分别为24mΩ、28mΩ和42mΩ，有助于降低功耗。
2. **高耐压能力**：最大VDS为20V，适用于多种低压应用。
3. **高电流承载能力**：在不同温度条件下，ID的最大值分别可达6A、5.15A和4A。
4. **良好的热性能**：通过合理的散热设计，可以有效控制结温。
5. **环保设计**：符合RoHS指令要求，不含铅、汞等有害物质。
WNM2306B-3-TR-VB非常适合用于便携式设备的电源管理系统中，能够提供高效稳定的电源控制解决方案。
