HYNIX-HY62SF16101C.pdf

文档"HYNIX-HY62SF16101C.pdf"主要介绍了一款由Hynix Semiconductor公司生产的HY62SF16101C系列64Kx16位超低功耗全CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。这款内存芯片采用先进的全CMOS工艺技术，旨在实现高速度、低功耗的操作，适用于高密度低功耗系统应用。 该存储器的规格为64K x 16位，即总共有65,536个字（每个字16位），总计1M位（1MB）的存储容量。它具有数据保留模式，即使在电源电压降低到1.8V的最低水平时，也能确保数据的完整性，这在设计低功耗系统时非常关键。 文档中提到了一些重要的电气特性参数，如： 1. tCLZ, tOLZ, tBLZ, tCHZ, tOHZ, tBHZ, tWHZ, tOW：这些是关于存储器操作的定时参数，代表了不同操作阶段（如读取、写入和数据保持）的时间限制。例如，tCLZ可能表示芯片从静止状态到输出有效的最短时间，tOLZ表示输出负载放电时间，tBLZ表示数据线预充电时间等。这些参数对于确保设备在特定速度下正确工作至关重要。 2. Revision History部分展示了文档的修订历史，记录了不同版本的修改内容，比如03版将输出负载分为几个因素，并增加了标记信息，而04版则修改了交流特性表中的tBLZ参数。 这款SRAM的特性包括： - **高速**：设计用于高速操作，适合需要快速存取数据的场景。 - **超低功耗**：采用优化的电路设计，降低功耗，适用于电池供电或对能耗敏感的设备。 - **数据保留模式**：即使在较低的电源电压下，仍能保持数据的稳定性，延长电池寿命。 - **全CMOS工艺**：利用高性能的全CMOS制造工艺，确保了速度和效率的平衡。 总结来说，HY62SF16101C是一款专为高效率、低功耗系统设计的存储解决方案，其特性使得它在便携式设备、嵌入式系统以及其他对速度和能源效率有严格要求的应用中具有广泛的应用前景。由于Hynix Semiconductor不对其描述中的电路使用承担责任，用户在实际应用中需要自行评估和测试其适用性。此外，文档中未明确提及任何专利许可，暗示用户应自行处理可能涉及的专利问题。