平芯微TSSOP8封装的N+NMOS管8205A8.pdf

8205A8采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。8205A8是一颗双N沟道的低内阻场效应MOS管。双MOS的D极内部是连接在一起的。8205A8采用TSSOP8封装。 8205A8是一款由平芯微（Wuxi PWChip Semi Technology CO., LTD）生产的高性能双N沟道增强型MOSFET，适用于小型功率开关和负载开关应用。这款器件采用先进的沟槽技术，拥有高密度的单元设计，从而实现极低的导通电阻。8205A8在TSSOP8封装下提供了优秀的RDS(ON)和门电荷性能。 在电气特性方面，8205A8的主要参数包括： 1. **耐压能力**：源漏极间最大电压（BVDSS）在VGS=0V，ID=250μA时为20V，确保了器件在正常工作条件下的稳定性。 2. **零门电压漏电流**（IDSS）：在VDS=19.5V，VGS=0V条件下，漏电流小于1μA，这反映了器件在无驱动信号时的泄漏电流。 3. **栅极-体漏电流**（IGSS）：当VGS=±10V，VDS=0V时，栅极-体漏电流小于±100nA，保证了低的静态功耗。 4. **栅极阈值电压**（VGS(th)）：在VDS=VGS，ID=250μA时，阈值电压范围为0.5V到1.2V，决定了MOSFET开始导通所需的最小栅极电压。 5. **导通电阻**（RDS(ON)）：在VGS=4.5V，ID=4.5A时，RDS(ON)小于27mΩ；在VGS=2.5V，ID=3.5A时，RDS(ON)小于37mΩ，这表明8205A8具有低内阻特性，适合高速开关操作。 6. **前向传导导纳**（gFS）：在VDS=5V，ID=4.5A时，其值约为10S，这直接影响MOSFET的开关速度。 7. **输入电容**（Ciss）：在VDS=8V，VGS=0V，频率为100kHz时测量，反映了门极对源极的电容，影响开关性能。 在使用8205A8时，应注意到绝对最大额定值，如源漏极间的连续电流ID为6A，脉冲电流IDM为25A，最大功率耗散PD为1.5W。此外，存储温度范围和操作结温范围均为-55℃至150℃，而热阻（Junction-to-Ambient）RθJA为83℃/W。这些参数对于器件的长期可靠性和散热设计至关重要。 8205A8符合RoHS标准，并通过了全面的功能可靠性验证，适用于各种电源管理、负载切换和开关应用。这款器件的代理为深圳市夸克微科技，可提供技术支持。用户在使用时，需遵循产品规格书中的推荐值，以确保器件的最佳性能和寿命。