mosfet的UIS测试详细分析
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2011-06-27
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MOSFET 的 UIS 及雪崩能量解析
2011-03-31 22:36:30 来源:互联网
在功率的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量 EAS，雪崩电流 IAR，重复脉冲雪崩能量 EAR
等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的
应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条
件下需要考虑这些参数。本文将论述这些问题，同时探讨功率 MOSFET 在非钳位感性开关
条件下的工作状态。
EAS，IAR 和 EAR 的定义及测量
MOSFET 的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关，其最终的表现就是温度的上升，而
温度上升与功率水平和硅片封装的热性能相关。功率半导体对快速功率脉冲（时间为 100
～200μs）的热响应可以由式 1 说明：
(1)
其中，A 是硅片面积，K 常数与硅片的热性能相关。由式(1)得：
(2)
其中，tav 是脉冲时间。当长时间在低电流下测量雪崩能量时，消耗的功率将
使器件的温度升高，器件的失效电流由其达到的峰值温度所决定。如果器件足
够牢靠，温度不超过最高的允许结温，就可以维持测量。在此过程内，结温通
常从 25℃增加到 TJMAX，外部环境温度恒定为 25℃，电流通常设定在 ID 的
60%。雪崩电压 VAV 大约为 1.3 倍器件额定电压。
雪崩能量通常在非钳位感性开关 UIS 条件下测量。其中，有两个值 EAS 和
EAR，EAS 为单脉冲雪崩能量，定义了单次雪崩状态下器件能够消耗的最大能
量；EAR 为重复脉冲雪崩能量。雪崩能量依赖于电感值和起始的电流值。
资源评论
subrinalilac2013-01-30不错，不过百度已经有免费的了。
ludome2012-05-03描述比较详尽基础，学习了~
heavensee2012-07-04对于器件测试原理的帮助很大
