元器件应用中的MOS场效应晶体管使用注意事项

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元器件应用中的MOS场效应晶体管使用注意事项

: 元器件应用中的MOS场效应晶体管使用注意事项 MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：　1.MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便...
评级：0 浏览量：300 收藏量：1 资源大小：42KB 上传时间：2020-11-19

: 元器件应用中的V-MOS场效应管 1.V-MOS场效应管的结构　V-MOS场效应管的结构如图所示。它是在N+衬底上的N-外延层上,先后进行P-型区和N+型区两次选择扩散，然后利用硅的各向异性刻蚀技术，刻蚀出V形槽。漏极从芯片的背面引出，源极及栅极在V形槽的...
评级：0 浏览量：134 收藏量：0 资源大小：102KB 上传时间：2020-11-23

: 元器件应用中的选择高压场效应管实现节能高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术在过去几年中经历了很大的变化，这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力，能够帮助工程师避免许多问题，并实现效率最大化...
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：102KB 上传时间：2020-11-07

: 元器件应用中的功率MOSFET场效应管的特点功率MOS场效应晶体管全称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），简称功率MOSFET，它是一种电压控制器件。根据载流子的性质，MOSFET可分为N沟道和P沟道两...
评级：0 浏览量：104 收藏量：0 资源大小：148KB 上传时间：2020-11-12

: 元器件应用中的IGBT的常识及使用注意事项 　IGBT管是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的简称，它是80年代初诞生，90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的，其输入级为...
评级：0 浏览量：100 收藏量：0 资源大小：103KB 上传时间：2020-10-20

: 元器件应用中的关于MOS管失效的六大原因 MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况...
评级：0 浏览量：279 收藏量：0 资源大小：366KB 上传时间：2020-10-16

: 元器件应用中的三极管开关电路和场效应管电路优劣比较？一般我们在做电路设计时候，三极管开关电路和MOS管开关电路有着以下四种区别：首先是三极管是用电流控制，MOS管属于电压控制;...要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。　三极管是
评级：0 浏览量：160 收藏量：0 资源大小：58KB 上传时间：2020-10-16

: 元器件应用中的MOS 集成电路防静电预防方法以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性，MOSIC得到迅速发展。与双极型集成电路相比，MOSIC具有以下优点：...
评级：0 浏览量：108 收藏量：0 资源大小：78KB 上传时间：2020-11-11

: 元器件应用中的关于MOS管失效，说白了就这六大原因 MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator） —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数...
评级：0 浏览量：245 收藏量：0 资源大小：350KB 上传时间：2020-10-15

: 元器件应用中的关于MOSFET的双峰效应量化评估研究金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal－Oxide－Semiconductor Field－Effect Transistor，MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P－n接面(p－n junction)所组成。自从在1960年首次证明后，MOSFET快速...
评级：0 浏览量：200 收藏量：1 资源大小：229KB 上传时间：2020-11-10

: 关于场效应管的注意事项 （3）MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意...
评级：0 浏览量：187 收藏量：0 资源大小：140KB 上传时间：2020-07-13

: 电源应用中场效应晶体管的崩溃效应在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 转换器设计中 , 使用场效应晶体管当作切换开关已经越来越普遍。在设计中为了减少尺寸大小和提升电源密度 , 其电源操作工作频率也要求越来越高。如此会造成较高的 ...
评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：159KB 上传时间：2020-10-21

: 元器件应用中的MOSFET与预驱动器的匹配技巧　适应宽负载范围的一种方法是使用现有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和带必要保护及诊断功能的预驱动器。这种方法可以非常灵活，甚至可以使用已通过合格认证、您的库存中现有的MOSFET，为驱动器需求提供高性...
评级：0 浏览量：145 收藏量：0 资源大小：156KB 上传时间：2020-11-07

: 选择高压场效应管实现节能高压金属氧化物半导体场效应晶体管技术在过去几年中经历了很大的变化，这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力，能够帮助工程师避免许多问题，并实现效率最大化。
评级：0 浏览量：99 收藏量：0 资源大小：75KB 上传时间：2020-07-27

: 元器件应用中的D类MOSFT在发射机射频功放中的应用 O 引言　随着微电子技术的发展，MOS管在电子与通信工程...　MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的简称，或称为MOS场效应管，它是有别于结型场效应管的绝缘
评级：0 浏览量：86 收藏量：0 资源大小：276KB 上传时间：2020-11-09

: 元器件应用中的深入浅出解析IGBT的工作原理及作用　IGBT（绝缘栅双极型晶体管），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，...
评级：0 浏览量：342 收藏量：0 资源大小：96KB 上传时间：2020-10-19

: 元器件应用中的英飞凌30V车用MOSFET 具备全球最低通态电阻英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。全新的 OptiMOS-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件，在10V栅源电压条件下，漏极电流为180A...
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: 浅谈金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)工作原理 MOS管用途广泛，包括电视机高频头(高频，小电流）到开关电源（高压大电流)，现在把MOS和双极型(普通三极管）复合在一起(IGBT，绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于大功率领域。 MOS管在AC充电头、移动电源、无线充、...
评级：0 浏览量：142 收藏量：0 资源大小：325KB 上传时间：2022-08-13

: 场效应管特性及单端甲类功放制作全过程 场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点，而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性，即场效应管的源极和漏极是可以互换的（无阻尼），一般的晶体管是不容易做到这一点的，电子管是根本不可能达到这...
评级：0 浏览量：508 收藏量：1 资源大小：398KB 上传时间：2020-10-20

: 元器件应用中的IGBT在客车DC 600V系统逆变器中的应用与保护它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。图1所示为N沟道增强型垂直式IGBT单元结构，IGBT采用沟槽结构，以减少...
评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：245KB 上传时间：2020-11-10

: MOS管和IGBT管的定义与辨别 IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管，是MOS管与晶体三极管的组合，MOS是作为输入管，而晶体三极管作为输出管。于是三极管的功率做的挺大，因此两者组合后即得到了MOS管的优点又获得了晶体三极管的优点。综上所...
评级：0 浏览量：465 收藏量：0 资源大小：105KB 上传时间：2020-07-14

: IGBT的常识及使用注意事项 IGBT管是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的简称，它是80年代初诞生，90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的，其输入级为...
评级：0 浏览量：112 收藏量：0 资源大小：90KB 上传时间：2020-10-21

: 电子元器件综合知识大全第一章电子元器件 第一节、电阻器 1.1 电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻. 1.2 电阻器的英文缩写：R（Resistor）及排阻RN 1.3 电阻器在电路符号： R 或 WWW 1.4 电阻器的常见...
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: 电子元器件封装大全,附有详细尺寸.zip 电子元器件封装大全,附有详细尺寸常用元件封装尺寸对于晶体管，那就直劫复它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO—3，中功率的晶体管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-66，小功率的晶体管...
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: MOS管电路工作原理及详解.ppt 在嵌入式电路设计中，常用到的元器件，场效应晶体管（MOS管）的基础知识介绍，P-MOS、N-MOS的区别，以及在电路中的工作原理。
评级：0 浏览量：1050 收藏量：1 资源大小：2.46MB 上传时间：2019-07-25

: MOSFET结构及其工作原理详解功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET）,简称功率MOSFET。
评级：0 浏览量：57 收藏量：0 资源大小：254KB 上传时间：2020-10-19

: 用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究介绍有源电力滤波器设计中EXB84l型绝缘栅场效应晶体管(IGBT)驱动器的驱动原理和电路特点，对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻进行了探讨，给出过流保护和过压吸收的有效办法。样机试运行证明此种设计方案可靠、有效...
评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：385KB 上传时间：2020-10-24

: 模拟技术中的防触电报警器 (一) 在电力建设与建筑施工过程中，触电往往是造成恶性...　高压检测电路由天线W、MOS场效应晶体管VF、晶体管Vl及有关外天线围元器件组成。　声光报警电路由晶体管V2、V3、发光二极管VL、语音集成电路IC和扬声器BL等组成。
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: 模拟电路的计算机分析与设计 Pspice程序应用.pptx 第五章半导体器件基础：介绍了半导体器件的基本概念和应用，包括半导体二极管、双极型晶体管、MOS场效应晶体管等。《模拟电路的计算机分析与设计——Pspice程序应用》是一本不可多得的电子技术领域的经典之作，...
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: protues元件库中英文对照表　Transistors 晶体管（三极管，场效应管）　TTL 74 series protues元件库中英文对照表2008-01-10 13:22元件名称(2): TTL 74ALS series TTL 74AS series TTL 74F series TTL 74HC series TTL 74HCT series TTL ...
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: 基于51单片机的报警器设计.doc 本设计采用光敏电阻的光控开关原理，利用功率MOS场效应管可以作功率开关，开关的敏感元件可以采用光敏电阻LDR，当光线照射的光敏电阻上时，LDR呈低阻值，有信号加在场效应晶体管的栅极上，源漏极间导通，从而使继电...
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: quartus元件库中英文对照表 Transistors 晶体管（三极管，场效应管） TTL 74 series TTL 74ALS series TTL 74AS series TTL 74F series TTL 74HC series TTL 74HCT series TTL 74LS series TTL 74S series Analog Ics 模拟电路集成...
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: 模拟电子技术教材（1M）包括教材和练习。第一章：二极管元器件，第二章：三级管和放大电路。第三章：MOS场效应晶体管。
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